Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Kommentar

GaN wird langsam erwachsen

Die Einführung jeder neuen Technologie hat so seine Tücken. Das ist auch bei Galliumnitrid für Leistungsschalter nicht anders. Ralf Higgelke, Redakteur der Design&Elektronik, blickt zurück und stellt aktuelle Entwicklungen vor.

MOSFET-Treiber

Ganzheitliche Lösung für höheren Systemwirkungsgrad

Infineon hat im Server-Bereich den Fokus auf die MOSFET-Technologie erweitert und setzt…

Selbstsperrender GaN-Transistor

Echte Alternative zum MOSFET

Bislang vorgestellte GaN-Transistoren hatten einen großen Nachteil: Im Normalzustand sind…

Online-Tool ezIGBT

IGBTs verschiedener Hersteller online vergleichen

Datenblätter erzählen Entwicklern nicht, was IGBTs bei den spezifischen Bedingungen der…

International Rectifier

1.400-V-IGBT für Induktionserwärmung

Einen robusten und schnellen 1.400-V-IGBT bringt International Rectifier auf den Markt.…

P-Kanal-MOSFET

Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT363-Gehäuse

Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im…

Toshiba

Super-Junction-60-V-MOSFET für Schaltnetzteile

Die schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs der DTMOS IV-H Serie von Toshiba zielen…

SiC für Elektromobilität

Vom Serienfahrzeug bis zum Rennwagen

Die Zahl elektrobetriebener Fahrzeuge steigt weltweit stetig an. Auch hier wird es zu…

SEMI-Europe 2014

Die 10/100/20-Strategie auf dem Prüfstand

Mit den »Empfehlungen zur Verbesserung der Wettbewerbsfähigkeit der europäischen…

Everlight

Hauchdünne IR-Senderdioden

Everlight Electronics erweitert sein Infrarot-Angebot um die hauchdünne …