Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Aluminiumnitrid

US-Regierung fördert neues Halbleitermaterial

HexaTech hat bekanntgegeben, dass es Fördermittel im Rahmen des Entwicklungsprogramms der ARPA-E des US-Energieministeriums erhalten hat. Das Unternehmen konzentriert sich hierbei auf die Entwicklung von Hochleistungshalbleiterschalter basierend auf…

Aus neuartigen Technologien sind einsetzbare…

Um SiC und GaN wächst ein leistungsstarkes Ökosystem

Lange Jahre verbanden Entwickler mit SiC und GaN die Attribute exotisch, teuer, nicht…

Intersil

Der steigenden Energiedichte zu Leibe rücken

Systemintegratoren stehen vor dem Problem, dass die Systeme ständig mehr Energie brauchen,…

Sperrspannungen von 650, 900 und 1200 V

SiC-MOSFETs nehmen Super-Junction-MOSFET-Anwendungen ins Visier

Mit 650- und 900-V-SiC-MOSFETs nähern sich Hersteller wie Rohm Semiconductor und Cree…

Bauteile für Hochspannungs-Applikationen

Richtig dimensionieren

Hochspannungs-Applikationen sind für Schaltungsentwickler eine echte Herausforderung, da…

Hy-Line Power Components

GaN-Schalter von transphorm ab Lager lieferbar

Auf der PCIM 2015 hat transphorm GaN-HEMTs mit 600 V Sperrspannung im TO-247-Gehäuse…

Herausragende Leistung

Pionier im Bereich organische Elektronik ausgezeichnet

Prof. Dr. Henning Sirringhaus hat die Faraday-Medaille des britischen Institute of Physics…

Technische Universität München

Phosphor und Arsen als Konkurrenz zu Graphen?

Der Nobelpreis 2010 machte Graphen über Nacht berühmt, doch regt sich bereits Konkurrenz.…

Infineon Technologies

MOSFETs für hart schaltende Anwendungen

Infineon Technologies erweitert sein MOSFET-Portfolio durch OptiMOS 300 V. Die neue Reihe…

Diodes

MOSFETs erhöhen Leistungsdichte in Abwärtswandlern

Das komplementäre MOSFET-Paar DMC1028UFDB von Diodes trägt dazu bei, die Leistungsdichte…