Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

IGBT5-PrimePACK-Module für erhöhte Anforderungen

Höhere Stromdichten bei unverändertem Bauraum

Steigende Betriebstemperaturen und ein robustes Modulgehäuse bei gleichzeitig steigender Lebensdauer unter hohen thermischen Wechsellasten sind Herausforderungen an künftige Leistungselektronik-Baugruppen. Infineon entwickelt dafür die nächste…

High Electron Mobility Transistor – der HEMT

Nicht nur für Hochfrequenz

MOSFETs sind inzwischen neben Hochfrequenz- auch Leistungsbauteile geworden. Doch auch…

5 Liter Volumen

Hochkompakter Wechselrichter für unterbrechungsfreie Stromversorgung

Forscher des Fraunhofer-Instituts für Solare Energiesysteme ISE entwickeln einen…

IMEC Technology Forum 2015:

Europäische Spitzenforschung in der Mikroelektronik für die Welt

Auf dem IMEC Technology Forum (ITF) 2015 in Brüssel diskutierten hochkarätige Experten,…

Halbleiterforschung

Fraunhofer THM optimiert höchstdotierte Siliziumkristalle

Leistungselektronik auf Basis optimierter Halbleitermaterialien kann der Energieverbrauch…

Vishay

Vorübergehender Produktionsstopp nach Explosion in Tianjin

Nach dem schweren Explosionsunglück in der chinesischen Hafenstadt Tianjin vom 12. August…

Börsen-Crash und rückläufige Aufträge aus Europa

Chinas Wirtschaft unter Druck

An drei Tagen in Folge hat die chinesische Zentralbank zuletzt den Yuan abgewertet und so…

Erweitertes Partnerschaftsprogramm

Das imec will die Grenzen von »GaN on Si« verschieben

Das Nanoelektronik-Forschungszentrum imec baut sein Forschungs- und Entwicklungsprogramm…

II-VI Advanced Materials

SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser

II-VI Advanced Materials hat einen Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm Durchmesser…

Aluminiumnitrid

US-Regierung fördert neues Halbleitermaterial

HexaTech hat bekanntgegeben, dass es Fördermittel im Rahmen des Entwicklungsprogramms der…