Produkt

Infineon Technologies

»IGBT5« mit Aufbau- und Verbindungstechnik ».XT« vereint

Auf der PCIM 2015 präsentiert Infineon Leistungsmodule der »PrimePACK«-Serie, die von der neuesten IGBT-Generation profitieren. Während die »IGBT5«-Chips höhere Leistungsdichten mit geringeren Verlusten erlauben, sorgt die Aufbau- und…

Infineons "The Answer" -High-Power-IGBT-Modul…

Bauraum- und Verlustoptimierung von Umrichtern

In Teil 1 wurde Infineons neues Plattformkonzept „The Answer“ beschrieben. Dieser 2. Teil…

Infineons "The Answer" (Teil1)

Neuer Ansatz bei High-Power-IGBT-Modulen

Auf der PCIM 2014 skizzierte Infineon mit dem Plattformkonzept „The Answer“ einen neuen…

Legobausteine für HV-Schaltungen

Infineon Technologies stellt neue High-Power IGBT-Plattform vor

Robust, zuverlässig, mit verschiedenen IGBT-Chips bestückbar, mit möglichst hoher…

Schalter aus Galliumnitrid

Ist die Zeit reif für GaN?

Die Leistungswandlung muss effizienter, die Leistungsdichte größer, die…

Infineon

MOSFET statt Relais

Mit den geschützten Low-Side-Schaltern HITFET+ von Infineon lassen sich die heute üblichen…

Markt&Technik-Forum »Trends in der…

Chance für zweistellige Wachstumsraten im Jahr 2015

Mit der Chance auf vielleicht sogar zweistellige Zuwachsraten rechnen die Teilnehmer des…

SiC-MOSFETs und -Dioden

Die Auswahl wird größer

Dank seiner größeren Bandlücke hat Siliziumkarbid Vorteile gegenüber Silizium. Wegen des…

Interview mit Dr. Helmut Gassel

Infineons 300-mm-Dünnwafer-Projekt in Dresden läuft nach Plan

Ab 2016, so Dr. Helmut Gassel, Division President Industrial Power Control (IPC), werde…

Kommentar

GaN nimmt Fahrt auf

Leistungshalbleitern aus Wide-Bandgap-Materialien wie zum Beispiel Galliumnitrid ist eine…