Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Interview mit Jochen Hüskens, Rohm Semiconductor

Gräben machen Siliziumkarbid besser

Die Trench-Technik gibt es bei Silizium-MOSFETs schon lange. Bei Schaltern aus Siliziumkarbid ist das jedoch eine Neuheit. Wir fragten Jochen Hüskens, Marketing Product Manager bei Rohm Semiconductor, inwiefern die Trench-Technik SiC-Bauteile besser…

GaN Systems kooperiert mit TSMC

Massenproduktion von GaN-on-Si-Transistoren angelaufen

GaN Systems hat bekanntgegeben, dass seine Foundry TMSC die Fertigung von Produkten auf…

Vishay setzt auf Akquisitionen, die das Produkt-…

»Fairchild hätte gepasst, war aber zu teuer«

Dr. Gerald Paul, CEO und President von Vishay, und Johan Vandoorn, CTO des Unternehmens,…

Thyristoren für HGÜ-Anwendungen

Stand der Technik

Hochleistungs-Thyristoren sollen in HGÜ-Übertragungssystemen von bis zu 11 GW und…

Neue Generation „Halbbrücken Motortreiber“ von…

Integriert, leistungsfähig und platzsparend

Steuerungschip und MOSFETs zusammen in einem Bauelement? Das bietet Infineons neue…

IDT und ZMDI: Von der Kooperation zur Übernahme

IDT kommt über ZMDI ins Automotive-Geschäft

Für Gregory Waters, CEO von IDT, und Thilo von Selchow, CEO von ZMDI, ist die geplante…

Fast 6 Mrd. Umsatz und 11 Prozent Umsatzrendite

Infineon straft Analysten Lügen

Noch vor Tagen stürzte Infineons Aktienkurs ab, weil Analysten »Bedenken« hinsichtlich der…

GaN-Halbleitertechnik

Gleichstromgespeistes Haus spart Energie

Beim vernetzten Haus geht es nicht nur um den Informationsaustausch zwischen…

Kommentar

Infineon - ein Schnäppchen in Japan?

Ob an den Gerüchten, dass Infineon Renesas übernehmen will, wohl etwas dran ist?

Vorteile eines temperaturbeständigen R^on von…

Der DioMOS in der Anwendung

Beim DioMOS handelt es sich um einen SiC-MOSFET, der auch als antiparallele Diode…