Galliumnitrid / MIT
Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich
Heute verfügbare GaN-Transistoren haben alle eine laterale Struktur. Doch vertikale Strukturen wie bei Silizium und SiC wären besser, bei GaN aber nicht wirtschaftlich machbar. Nun haben Forscher eine Fin-Struktur vorgestellt, sodass sich vertikale…