Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

STMicroelectronics

Einphasige Vollbrücke in einem Gehäuse

In dem 13 mm x 11 mm großen PWD13F60 von STMicroelectronics ist eine komplette einphasige Vollbrücke für 600 V und 8 A untergebracht. Neben den MOSFETs sind noch Gate-Treibern und Schutzfunktionen mit integriert. Dies soll Platz sparen, das Design…

IEDM 2017

Widerstand von SiC-MOSFETs um zwei Drittel senken

Forscher von Mitsubishi Electric und der Universität von Tokyo haben die Auswirkungen…

»Volumetric Cooking« von Goji

Schneller in unerreichter Qualität kochen

RF-Energy revolutioniert das Kochen: »Volumetric Cooking« verbessert die Kochqualität…

ICs in Europa

Halbleiterumsatz springt um 19,5 %

Um 19,5 Prozent auf 3,4 Mrd. Dollar ist der Hableiterumsatz in Europa im Oktober 2017…

Wie wir in Zukunft leben

Sensornetze für die Smart City

Sensoren sind Augen und Ohren künftiger Smart Cities. Kommunikationsnetze werden nach Dr.…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…

ROHM und VENTURI

Die Leichtigkeit des SiC-Designs

ROHM die Wechselrichter für das VENTURI-Team mit SiC-Dioden und -Transistoren…

Nach Apple-Ankündigung

Schwarzer Donnerstag für Dialog Semiconductor

Nach einer Ankündung von Apple ist die Aktie der britisch-deutschen Dialog Semiconductor…

Universität Aalto / Galliumnitrid

Beryllium-dotiertes GaN für kommende Leistungshalbleiter

Galliumnitrid mit Beryllium zu dotieren hatte man vor 15 Jahren weitgehend verworfen. Nun…

Gate-Treiber-IC von Power Integrations

Spitzenströme bis 60 A mittels externen Boostern

Power Integrations präsentiert das neueste Mitglied seiner Scale-iDriver-IC-Familie…