Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

UnitedSiC

650- und 1200-V-SiC-JFETs der dritten Generation

UnitedSiC stellt die dritte Generation seiner 1200- und 650-V-SiC-JFETs vor. Für die Fertigung nutzt das Unternehmen seinen eigenen 6-Zoll-Wafer-Prozess, dessen Wafer-Thinning- und Chipbefestigungstechniken für einen besonders niedrigen…

Deutsche Niederlassung

Mitsubishi Electric feiert 40-jähriges Bestehen

Seit inzwischen 40 Jahren besteht die deutsche Niederlassung von Mitsubishi Electric in…

Dr. Steffen Metzger, Infineon

CoolGaN startet in den Massenmarkt

Auch bei Infineon ist Galliumnitrid ein ganz heißes Thema. Auf der PCIM Europe sprachen…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Erfahrungsaustausch auf Augenhöhe

Eine Woche vor der electronica bietet das "Anwenderforum Leistungshalbleiter" der…

SEMI weitet Partnerschaften aus

KI fördern, Protektionismus eindämmen

SEMI-President Europe Laith Altimime erklärt im Interview mit Markt&Technik, wie sein…

Für 300 Millionen Dollar

Apple erwirbt Teile von Dialog Semiconductor

Der europäische Chipentwickler Dialog Semiconductor tritt einen Teil seines Geschäfts und…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Vorschau auf das Programm!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den…

New cars from 2020: Further CO2 cutback

How’s that going to work?

By 2020 carbon dioxide emissions are to be reduced to an average 95 g/km. In February this…

Türöffner für hohe Schaltfrequenzen

SiC optimal ansteuern

Aktuelle MOSFETs aus Siliziumkarbid können als Leistungsschalter bei Frequenzen bis über 1…

TMBS-Diode V30100CI

Maximale Sperrschichttemperatur von 150°C

Vishay präsentiert vier neue 100V- und 120V-TMBS-Dioden mit einer im Vergleich zur…