Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

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UnitedSiC

Schnelle selbstsperrende SiC-JFET-Kaskoden

Mit der Serie UF3C-FAST hat UnitedSiC neue 650-V- und 1200-V-SiC-FETs im Standard-TO-247-3L-Gehäuse für hartschaltete Topologien vorgestellt. Damit eignen sie sich als direkter Ersatz für Silizium-IGBTs und -MOSFETs.

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Kommentar

Das Herzstück der Energieeffizienz

Auch wenn die Erkenntnis beileibe nicht neu ist – es lohnt sich immer wieder, sie zu…

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Drahtlos komfortabler laden

GaN-HEMTs in Class-E-Leistungsverstärkern

Höherer Wirkungsgrad, kürzere Ladezeit und höhere Leistungsdichte – diese Anforderungen…

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Texas Instruments / Galliumnitrid

Drei neue Leistungsstufen mit 600-V-GaN-Transistoren

TI hat die LMG341x-Familie präsentiert. Dies sind Leistungsstufen, die auf GaN-FETs mit…

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STMicroelectronics

Qi-konformer 15-W-Transmitter unterstützt EPP

Der STWBC-MC ist der erste Qi-Transmitter für das drahtlose Laden, der die neusten…

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Heraeus Electronics

Neues Entwicklungszentrum in Shanghai

Chips bestücken, Bauteile löten und testen lassen, das möchte Heraeus Electronics seinen…

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Firmenwert fast verdoppelt

Wingtech kauft Mehrheit an Nexperia

Die chinesische Wingtech Technology will die Mehrheit an Nexperia erwerben, die erst im…

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UnitedSiC

650- und 1200-V-SiC-JFETs der dritten Generation

UnitedSiC stellt die dritte Generation seiner 1200- und 650-V-SiC-JFETs vor. Für die…

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Deutsche Niederlassung

Mitsubishi Electric feiert 40-jähriges Bestehen

Seit inzwischen 40 Jahren besteht die deutsche Niederlassung von Mitsubishi Electric in…

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Dr. Steffen Metzger, Infineon

CoolGaN startet in den Massenmarkt

Auch bei Infineon ist Galliumnitrid ein ganz heißes Thema. Auf der PCIM Europe sprachen…

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