Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

© Purdue University/John Underwood

Polymer-Gemisch

Organische Elektronik trotzt höchsten Temperaturen

Forscher der Purdue Universität in Indiana entwickeln organische Elektronik aus Materialien, die zuverlässig bis über 200°C arbeiten.

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© IHP Microelectronics

Photonics

Jüngste Forschungsergebnisse

Der Markt der Photonik-Halbleiter bietet bereits eine Menge spannender Produkte. Aber die…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Fraunhofer IAF

Novel Power Semiconductor Material

Is Scandium Aluminum Nitride better as GaN?

Scientists of different German universities and research institutes have joined forces in…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Fraunhofer IAF

Leistungshalbleiter

Neues Material besser als GaN

Scandiumaluminiumnitrid verspricht noch bessere Wirkungsgrade und längere Lebensdauern für…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo

GaN-Treiber / Universität Reutlingen

Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit

GaN-HEMTs bieten ein enormes Potenzial für kompakte Leistungselektronik, da sie die Größe…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© FAU/Michael Krieger, Martin Hauck

Qualitätskontrolle

Neues Prüfverfahren findet unentdeckte Transistordefekte

Eine neue Methode, Defekte in Leistungstransistoren aus Siliziumkarbid schnell und einfach…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Markt & Technik

Kommentar

Game-Changer Xi Jinping

Auch wenn viele über die zunehmende Verunsicherung aufgrund des Handelskriegs zwischen USA…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Maxim Integrated

Biosensormodul MAX86150

Synchronisierte PPG- und EKG-Überwachung

Maxim stellt das erste integrierte PPG- und EKG-Biosensormodul für mobile Geräte vor:…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/ElektronikMedical.svg Logo
© FAU/Michael Krieger, Martin Hauck

Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© FAU/Michael Krieger, Martin Hauck

Friedrich-Alexander-Universität

Understanding SiC Better

Researchers at the Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nuremberg (FAU) have developed…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo