Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Galliumnitrid-Transistoren

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand

Ein zentrales Anliegen von Anwendern von GaN-HEMTs ist der dynamische On-Widerstand. Mit dem Dokument JEP173 hat das JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee JC-70 dazu nun ein einheitliches Messverfahren veröffentlicht.

VisIC Technologies

GaN-Halbbrückenmodul mit 1200 V

1200-V-Halbbrückenmodule sind Standardkomponenten in der Umrichtertechnik – viele Jahre…

SiC-Leistungshalbleiter

STMicroelectronics beteiligt sich an SiC-Wafer-Hersteller

Den Zugriff auf die Lieferkette für Siliziumcarbid sichert sich STMicroelectronics mit…

STMicroelectronics

Mehrheitsbeteiligung an SiC-Waferhersteller übernommen

STMicroelectronics hat eine Vereinbarung über den Erwerb einer Mehrheitsbeteiligung am…

Texas Instruments

Fab in Greenock geht an Diodes

Diodes kauft die Fab von Texas Instruments in Greenock in Schottland.

Umsatzvolumen von knapp 13,5 Mrd. Dollar

MEMS-Bedeutung im Automotive-Bereich könnte schrumpfen

Mit einem Umsatzwachstum des Welt-MEMS-Marktes von 5,5 Prozent rechnen die Analysten von…

Höhere Energieeffizienz von Umrichtern

Neue 2,5-A-IGBT- und MOSFET-Treiber

Vishay Intertechnology hat sein Angebot an Optoelektronik-Bauteilen um einen neuen 2,5…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche…

Infineon / Siliziumkarbid

SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine…

Energieeffiziente Schaltungsdesigns

Kühl, klein und schnell mit GaN

73 Milliarden Kilowattstunden an Energie werden die Rechenzentren in den USA laut einer…