Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche mit einem Vortrag dabei. Wir konnten die Keynote-Sprecher Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow sowie Dr. Richard Reiner und Dr. Martin Schulz zu ihren Beiträgen…

Infineon / Siliziumkarbid

SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine…

Energieeffiziente Schaltungsdesigns

Kühl, klein und schnell mit GaN

73 Milliarden Kilowattstunden an Energie werden die Rechenzentren in den USA laut einer…

Polymer-Gemisch

Organische Elektronik trotzt höchsten Temperaturen

Forscher der Purdue Universität in Indiana entwickeln organische Elektronik aus…

Photonics

Jüngste Forschungsergebnisse

Der Markt der Photonik-Halbleiter bietet bereits eine Menge spannender Produkte. Aber die…

Novel Power Semiconductor Material

Is Scandium Aluminum Nitride better as GaN?

Scientists of different German universities and research institutes have joined forces in…

Leistungshalbleiter

Neues Material besser als GaN

Scandiumaluminiumnitrid verspricht noch bessere Wirkungsgrade und längere Lebensdauern für…

GaN-Treiber / Universität Reutlingen

Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit

GaN-HEMTs bieten ein enormes Potenzial für kompakte Leistungselektronik, da sie die Größe…

Qualitätskontrolle

Neues Prüfverfahren findet unentdeckte Transistordefekte

Eine neue Methode, Defekte in Leistungstransistoren aus Siliziumkarbid schnell und einfach…

Kommentar

Game-Changer Xi Jinping

Auch wenn viele über die zunehmende Verunsicherung aufgrund des Handelskriegs zwischen USA…