Vishay
N-Channel MOSFETs mit hoher Leistungsdichte
Die SiSS12DN-40V-N-Channel-MOSFETs von Vishay erhöhen die Leistungsdichte und Effizienz für Leistungsumwandlungstopologien. Sie werden im kompakten 3,3 x 3,3 mm² PowerPAK-1212-8S-Gehäuse angeboten und verfügen über niedrige Ausgangsladung in der Sub-2-mΩ-Klasse.
Mit ihrem geringen Durchlasswiderstand von 1,98 mΩ bei 10 V minimieren die SiSS12DN-MOSFETs Leitungsverluste. Durch die niedrige Ausgangsladung von 680 pF und optimierter Gate-Ladung (Qg) von 28,7 nC ermöglichen die MOSFETs Schalter-Topologien mit größerer Leistungsdichte.
Die TrenchFET Gen VI Leistungs-MOSFETs benötigen nur weniger Platz auf der Leiterplatte – geliefert werden sie im 3,3 x 3,3 mm² PowerPAK-1212-8S Gehäuse. Sie sind 100-prozentig RG- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.
Zu den Anwendungen der N-Channel MOSFETS zählen unter anderem synchrone Gleichrichter, synchrone Abwärtswandler, DC/DC-Schaltungen, ODER-Verknüpfungen und Lastschaltungen. Sie eignen sich für Telekommunikationsanwendungen, Server, medizinische Geräte, Stromversorgungen, Schaltkondensatoren oder Tankschaltwandler, Industrieausrüstungen, Elektrowerkzeuge und Batteriemanagement-Module.
Die MOSFETs sind erhältlich bei Rutronik24.
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