Forschungszentrum Jülich
Erster GeSn-Halbleiterlaser für Silizium-Chips
Fortsetzung des Artikels von Teil 2
3 µm - neue Wellenlänge für neue Anwendungen
Sehen kann man den Laserstrahl mit dem bloßen Auge übrigens nicht. GeSn absorbiert und emittiert Licht im Wellenlängenbereich von 3 Mikrometer. An dieser Grenze des nahen und mittleren Infrarotbereichs weisen auch viele Kohlenstoffverbindungen starke Absorptionslinien auf: Klimagase etwa oder Biomoleküle. Detektoren aus GeSn versprechen somit neue Möglichkeiten, diese Verbindungen nachzuweisen.
Von dem neuen Lasermaterial könnten daher neben Computerchips auch völlig neue Anwendungen profitieren, die aus Kostengründen bisher kaum verfolgt wurden: Gassensoren und implantierbare Chips für medizinische Anwendungen etwa, die mittels spektroskopischer Analyse Informationen über den Blutzuckerspiegel und andere Parameter ermitteln. Kostengünstige und tragbare Sensorik, zum Beispiel in ein Smartphone integriert, könnte in Zukunft Echtzeitdaten von Stoffverteilungen in der Luft und im Boden liefern und damit einen Beitrag zum besseren Verständnis der Wetter- und Klimaentwicklung liefern.
- Erster GeSn-Halbleiterlaser für Silizium-Chips
- Verbindung mit hohem Zinngehalt
- 3 µm - neue Wellenlänge für neue Anwendungen
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