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Forschungszentrum Jülich

Erster GeSn-Halbleiterlaser für Silizium-Chips

20. Januar 2015, 10:45 Uhr | Nicole Wörner

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Verbindung mit hohem Zinngehalt

Den Wissenschaftlern vom Jülicher Peter Grünberg Institut ist es nun erstmals gelungen, einen »echten« direkten Gruppe-IV-Halbleiterlaser durch die Verbindung von Germanium und Zinn, das ebenfalls der vierten Hauptgruppe angehört, herzustellen.

»Entscheidend für die optischen Eigenschaften ist der hohe Zinngehalt. Wir konnten erstmals über zehn Prozent Zinn in das Kristallgitter einbauen, ohne dass es seine optische Güte verliert«, berichtet Doktorand Stephan Wirths. »Die Funktion des Lasers ist allerdings bisher auf tiefe Temperaturen von bis zu minus 183 Grad Celsius beschränkt, was in erster Linie daran liegt, dass wir mit einem nicht weiter optimierten Testsystem gearbeitet haben«, ergänzt Dr. Dan Buca.

Gemeinsam mit seinen Kollegen aus der Abteilung von Prof. Siegfried Mantl am PGI-9 hat Stephan Wirths den Laser direkt auf einem Silizium-Wafer aufgebracht, dessen Eigenschaften anschließend am Schweizer Paul Scherrer Institut vermessen wurden. Der Doktorand Richard Geiger hat die Laser-Strukturen dort hergestellt. »Damit konnten wir nachweisen, dass die Germanium-Zinn Verbindung optische Signale verstärken kann und darüber hinaus in der Lage ist, Laserlicht zu erzeugen«, berichtet Dr. Hans Sigg vom Labor für Mikro- und Nanotechnologie.

Für den Nachweis wurde der Laser optisch angeregt. Nun arbeiten die Jülicher Wissenschaftler in der Arbeitsgruppe von Dr. Dan Buca daran, Optik und Elektronik noch stärker zu verschränken. Der nächste große Schritt ist jetzt, das Laser-Licht mit Strom zu erzeugen, möglichst ohne Kühlung. Ziel ist es, einen elektrisch gepumpten Laser zu fabrizieren, der bei Raumtemperatur funktioniert.