Samsung Electronics Verhaltene DRAM-Investitionen

Für die Temperaturbereiche Grade 2 und Grade 3 geeignete Flash-Speicher-ICs nach UFS-Standard.
Analysten gehen davon aus, dass der DRAM-Markt 2019 in die Abschwungphase eintritt und Samsung Electronics die Investitionen in neue Kapazitäten zurückfährt.

2019 könnte der DRAM-Aufschwung enden. Noch laufen die Geschäfte blendend, doch Samsung will den Kapazitätsausbau verlangsamen.

Laut der Nikkei Asian Review rechnen Analysten damit, dass Samsung Electronics die Investitionen in neue DRAM-Kapazitäten um 20 Prozent kürzen wolle. Der Grund dafür seien die schleppende Nachfrage im Smartphone-Markt, Nachfragerückgang auch im Sever-Sektor und der Handelskrieg zwischen China und den USA mit noch nicht absehbaren Folgen – der Halbleiter-Superzyklus könnte sich seinem Ende neigen. Marktforscher wie IC Insights und IHS Markit sagen bereits Überkapazitäten und fallende Preise voraus. DRAMeXchange hatte kürzlich den prognostizierten Preisrückgang von DRAM-Speichern im vierten Quartal von minus 3 auf minus 5 Prozent korrigiert.

Neuer Rekordgewinn vor allem wegen DRAMs

Besonders könnte das den stark zyklischen Speichermarkt treffen, der vom Aufschwung besonders stark profitiert und den Speicher-IC-Herstellern Traumumsätze und -gewinne gebracht hatte. Noch sieht die Welt für die Hersteller strahlend aus: Samsung Electronics konnte im dritten Quartal 2018 den operativen Gewinn noch einmal um 20 Prozent auf 17,5 (15,4) Billiarden Won steigern und dem Rekord aus dem ersten Quartal (15,6 Billiarden Won) toppen. Laut der Korea Times hätten die DRAMs dazu nicht weniger als 13 Billiarden Won beigetragen. Der Umsatz kletterte um 4,7 auf 65 Billiarden Won.

Dagegen sind die NAND-Flash-Speicher-ICs bereits in der Abschwungphase angekommen, die Preise sind bereits um rund 30 Prozent gefallen.