In der Woche vom 4. bis 8. Dezember 2023 informierten wir Sie in unserer Online-Themenwoche „Leistungselektronik“ über aktuelle Entwicklungen, Trends und Technologien, die diese Branche bewegen. Hier finden Sie alle Beiträge im Überblick.
Auch wenn sich auf den ersten Blick in der Leistungselektronik seit einigen Jahren alles nur noch um Wide-Bandgap-Bauteile in Form von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern zu drehen scheint – Silizium-basierte Leistungshalbleiter bilden immer noch das Backbone der Leistungselektronik, und das wird sich so schnell auch nicht ändern. Dazu tragen auch die Megatrends Mobilität, E-Mobility und die Energiewende bei. Wer sich fragt, warum eigentlich MOSFETs immer noch zu den Bauteilen mit den längsten Lieferzeiten gehören, der sollte sich vor Augen führen, dass es genau diese Leistungshalbleiter sind, die eben in die Applikationen der Megatrends gesaugt werden.
Vor diesem Hintergrund ist auch zu erklären, warum nicht nur Milliarden Dollar oder Euro in den Aufbau von Fertigungskapazitäten für SiC-Wafer und SiC-Komponenten fließen, sondern weiterhin weltweit auch Milliarden in den Bau, vor allem von 300-mm-Fabs für MOSFETs- und IGBTs investiert werden. Sie vermissen in dieser Auflistung GaN? Einer der Vorteile dieser Technologie ist, dass sich, mit entsprechendem Umbau, für die Fertigung dieser Bauelemente abgeschriebene Fertigungslinien zur Herstellung von Silizium-Bauelementen verwenden lassen. Nichtsdestotrotz fließen auch hier entsprechende Summen in den Bau von Fertigungskapazitäten, wobei die heute zur Verfügung stehenden Kapazitäten größer sind, als der weltweite Bedarf, aber das dürfte sich in den nächsten Jahren, spätestens mit dem Einzug von GaN in Automotive ändern.
Natürlich beschäftigen die Branche weiterhin auch technische Fragen: Planar oder Trench, wenn es um die Frage geht, ob in Zukunft irgendwann alle SiC-MOSFETs in einer Technologie hergestellt werden. Noch sehen die Verfechter von Planar dafür noch keine Notwendigkeit. Zeitgleich treiben die Anhänger von Trench die Entwicklung ihrer Bauelemente weiter voran. Wer sich in den Entwicklungsabteilungen umsieht, wird dort auch bereits SiC-IGBTs finden, man soll auch bei dem ein, oder anderen Hersteller bereits Entwicklungsmuster bestellen können. Eine fast schon unendliche Geschichte sind GaN-Bauteile mit Sperrspannung von 1200 V oder darüber. Ob sie kommen werden? Hängt wohl von den Applikationen ab. Auch die Frage, ob GaN-Bauelemente auch in Zukunft weiterhin lateral aufgebaut sein werden, oder doch irgendwann auch vertical wird die Zukunft weisen.
All diese Aspekte werden in unterschiedlicher Form in der Online-Themenwoche „Leistungselektronik“ in Form von Berichten, Interviews, Diskussionen und der Vorstellung neuer Produkte beleuchtet. Zu den Highlights der Themenwoche zählen unter anderem ein Interview mit Jean-Christophe Eloy, Gründer und CEO des französischen Marktforschungsunternehmens Yole Group. Ein weiteres Highlight stellt die Video-Diskussionsrunde mit Thomas Grasshoff, Head of Strategy Senior Director bei Semikron Danfoss, Ole Gerkensmeyer, Director Automotive Sales EMEA, Wolfspeed und Alfred Hesener, Senior Director Industrial & Consumer, Navitas, die sich in drei Teilen mit aktuellen Themen der Leistungselektronik auseinandersetzen. Verteilt über die Woche finden Sie zudem eine Sammlung aller relevanten Marktübersichten de Markt&Technik zum Thema „Leistungselektronik“.