Speicherhersteller aus Taiwan mit eigener Entwicklung und Fertigung
Macronix strebt die Marktführerschaft bei NOR-Flash-ICs an
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Macronix über die langfristige Strategie im Flash-Bereich
Hat Macronix eigentlich ein Alleinstellungsmerkmal am Markt?
Ja, wir sind einzigartig in Bezug auf unser Produktportfolio: Wir bieten sowohl NOR-Flash-ICs, als auch NAND-Flash-ICs an - jeweils beides für die Code-Speicherung.
Die NAND-Technik ist normalerweise stark getrieben von den Kosten pro Bit. Die großen NAND-Flash-Hersteller stehen also unter einem enormen Preisdruck, daher richten sie ihr Geschäft fast ausschließlich an den großen Volumenmärkten aus. Macronix bietet NAND-Bausteine dagegen als Nischenprodukte an, um die Vorteile der NAND-Technologie, wie die Kosteneffizienz bei hohen Speicherdichten, auch für die Codespeicherung zugänglich zu machen. Aktuell bieten wir die NAND-Flash-ICs als eine sinnvolle Ergänzung zu unseren NOR-Flash-Bausteinen an.
Langfristig gesehen wollen wir dann auch in das Volumengeschäft bei NAND-Flash für die Datenspeicherung einsteigen, allerdings mit einer komplett neuen Technologie.
Dann lassen Sie uns über ihre langfristige NAND-Flash-Strategie sprechen. Wie wollen Sie künftig mit großen Unternehmen wie Samsung oder Toshiba konkurrieren?
Lassen Sie mich kurz erklären, warum wir das NAND-Flash-Geschäft ausbauen wollen: Der NOR-Flash-Markt bietet uns nur begrenzte Wachstumsmöglichkeiten, da er mit einem Volumen von weltweit 4,5 bis 5 Mrd. Dollar wesentlich kleiner ist als der NAND-Flash-Markt. Bei NAND-Flash sprechen wir von einem Marktvolumen von etwa 30 bis 40 Mrd. Dollar! Daher ist der Markt für uns natürlich interessant.
Die großen NAND-Hersteller haben aber bereits sehr viel Geld investiert. Wenn wir mit diesen großen Konzernen konkurrieren wollen, müssen wir das mit einer neuen und besseren Technologie versuchen. Daher forschen und entwickeln wir derzeit an der dreidimensionalen NAND-Flash-Technologie, die es uns ermöglichen wird, die Anzahl der Bit pro Flächeneinheit zu erhöhen. Bei gleichen Fertigungsgeometrien können wir die Die-Größe in etwa um den Faktor 2,5 reduzieren. Das wäre ein Durchbruch im NAND-Flash-Segment, da der Markt wie gesagt sehr stark von Preisen getrieben ist.
Wann ist die 3D-NAND-Flash-Technologie reif für die Markteinführung?
Es wird wahrscheinlich noch vier bis fünf Jahre dauern, bis sie marktreif ist. Wie wir alle wissen, birgt jede neue Technologie viele Überraschungen. Es sind also sicherlich noch einige Probleme zu überwinden, von der Entwicklung der ersten Prototypen bis hin zum Übergang in die Massenfertigung. Genauso wie in den anderen Bereichen, werden wir hier einen Schritt nach dem anderen gehen.
Parallel beschäftigen Sie sich auch mit der Entwicklung von Phase-Change-Speichern. Welche Erwartungen haben Sie an diese Technologie?
Die Phase-Change-Speichertechnologie hat aus unserer Sicht sehr großes Potenzial. Allerdings wird es meiner Einschätzung nach weitere fünf bis zehn Jahre dauern, bevor sich diese neue Technik am Markt durchsetzen wird. Ich sehe die Technologie auch nicht als einen Ersatz für DRAMs oder NOR-Flash in einzelnen Applikationen an. Für mich ist die Phase-Change-Technologie die ideale Speichertechnik für Cloud-Computing-Anwendungen, einem stark wachsenden Volumenmarkt. Daher wollen wir eine Pionierrolle bei der Entwicklung von Phase-Change-Speichern einnehmen, dazu arbeiten wir übrigens eng mit IBM zusammen.
Das Interview führten Corinna Puhlmann und Engelbert Hopf
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