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»Wir schützen unsere IP mit aller Konsequenz!«

9. Dezember 2019, 9:58 Uhr | Engelbert Hopf

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

GaN im Antriebsstrang?

PI ist schuldenfrei, und nach der Zahlung von On Semiconductor werden Ihre Reserven Ende dieses Quartals rund 400 Millionen Dollar betragen. Reizt Sie eine größere Akquisition?

Wir müssen niemanden übernehmen, aber wenn wir auf ein Unternehmen stoßen, dass Entscheidendes zu unserem Geschäft beitragen kann, dann denken wir auf jeden Fall über eine Akquisition nach. Wenn es uns nur darum ginge, die Firma größer zu machen, könnten wir irgendeine Analog-Firma übernehmen. Aber das ist weder sinnvoll, noch bietet es uns Synergien. Wenn wir eine Firma übernehmen, soll uns das in unserem High-Voltage-Kerngeschäft stärken. Wenn es wirklich passt, würden wir aber eine reine Technologiefirma übernehmen. Einschränkend kann ich zu Akquisitionen nur sagen, wir werden aus Gründen unseres IP-Schutzes keine Unternehmen in China, Taiwan oder Korea übernehmen.

Sie haben erst dann öffentlich gemacht, dass Sie GaN-FETs in Ihren jüngsten InnoSwitch-Bausteinen verwenden, als Yole Développement dies nach einem Tier down öffentlich machte. Warum?

Wir verkaufen keine diskreten Bauteile. Wir verwenden in unseren hochintegrierten Produkten verschiedene Technologien. Wir sprechen über Vorteile für unsere Kunden. Es ist Teil unserer Unternehmens-Strategie, nicht über Technologien zu sprechen. Sie erhalten von uns keine Papers, in denen wir über Technologie sprechen. Technologien sind für uns immer nur ein Mittel zum Zweck, nie ein Selbstzweck. Als Startup ist das eine andere Geschichte, da verkaufen sie öffentlichkeitswirksam ihre Technologie, weil sie nichts anderes zu verkaufen haben.

Seit wann produzieren Sie nun diese InnoSwitch-Schalter mit GaN-FETs? Wie viele davon haben Sie inzwischen davon geliefert?

Wir haben bislang 3 Millionen Stück davon ausgeliefert, produziert haben wir bereits deutlich mehr. Wir haben im letzten Jahr viele Samples für Design-In-Bemühungen geliefert. Wirklich in Volumen produzieren wir die Bauteile nun seit Mitte dieses Jahres. Anker hat sein Design-In im November oder Dezember letzten Jahres realisiert, vorgestellt haben sie ihr Produkt dann im Januar dieses Jahres.

Entsprangen diese InnoSwitch-Schalter mit GaN-FETs einer der berühmten Margarita-Ideen auf den Cayman Islands, wie Ihre Flux-Technologie vor einigen Jahren?

Nein! GaN war harte Arbeit über Jahre hinweg, das hatte nichts mit einer unserer Margarita-Ideen zu tun. Allein drei Jahre hat uns die Frage beschäftigt, wie wir GaN richtig ansteuern für unsere Zwecke. Margarita-Ideen sind wichtig, aber im Anschluss daran dann herauszukriegen, ob sich die Idee kommerziell auch sinnvoll umsetzen lässt, macht 90 Prozent der Arbeit aus.

PI bietet auch Treiber für SiC-MOSFETs an. Wie beurteilen Sie die Wachstumschancen für SiC? Wird GaN irgendwann auch im Antriebsstrang zum Einsatz kommen?

SiC ist heute sicherlich eine ausgereiftere Technologie als GaN. Eine ganze Reihe von Unternehmen hat herausgefunden, wie sich SiC im Großserienmaßstab produzieren lässt. Die Herausforderung bei SiC liegt deshalb nicht mehr in der Technologie sondern im Preis. Bei 1200 V kostet SiC heute immer noch das Vier- bis Fünffache einer klassischen IGBT-Lösung. Doch überall dort, wo Größe und Gewicht keine große Rolle spielen, wird Silizium weiter dominieren. GaN ist dagegen preislich vor allem unter 1200 V deutlich wettbewerbsfähiger als SiC. Der Grund dafür liegt im weniger kostspieligeren Herstellungsprozess von. Langfristig werden wir im Automotive-Bereich auch GaN-Leistungshalbleiter mit höheren Sperrspannungen sehen, da bin ich mir sicher!