Mit geringem Durchlasswiderstand
Toshiba-MOSFETs für mobile Applikationen
Für Schalteranwendungen in mobilen, batteriebetriebenen Geräten präsentiert Toshiba zwei n-Kanal-MOSFETs, die sich durch einen besonders geringen Durchlasswiderstand auszeichnen.
Wegen der niedrigen Widerstandsverluste und der damit verbundenen Erhöhung des Systemwirkungsgrads, eignen sich der SSM6K513NU und der SSM6K514NU für Anwendungen, bei denen eine lange Batterielebensdauer erwünscht ist.
Der niedrige Durchlasswiderstand der MOSFETs wurde mit Hilfe von Toshibas U-MOS-IX-H-Trench-Prozess erzielt. Beim 30-V-Baustein SSM65K513NU beträgt der ON-Widerstand 6,5 mΩ und für den 40-V-Baustein SSM6K514NU wird er mit 8,9 Ω angegeben. Im Vergleich zu bisherigen MOSFETs wie dem SSM6K504NU lässt sich mit ihnen die Wärmeentwicklung durch Einschaltverluste um etwa 40 % reduzieren.
Die beiden neu vorgestellten n-Kanal-MOSFETs adressieren Schalterapplikationen für elektrische Leistungen oberhalb von 10 W , beispielswiese in kleinen Mobilgeräten, die den USB-Type-C- und den USB-Power-Delivery- (PD-) Standard unterstützen. Beide MOSFETs werden im kompakten SOT-1220-Gehäuse geliefert.
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