SiC-JFET mit horizontalem Kanal

Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden CoolSiC-JFETs haben eine monolithische Body-Diode integriert; das Schaltverhalten entspricht dem einer externen SiC-Schottky-Diode.

Die 1.200-V-JFETs sind entweder im TO247-Gehäuse oder als Bare Die erhältlich. Um die SiC-Bausteine sicher hochzufahren und schnell und kontrolliert zu schalten, hat Infineon das Konzept der „Direct Drive“-Technologie entwickelt. Dabei wird der JFET mit einem externen Niederspannungs-MOSFET und einem speziellen Treiber-IC kombiniert.

Jobangebote+ passend zum Thema

Quereinsteiger im Vertriebsinnendienst (m/w/d) für das Vertriebsbüro bei Wien

GLYN GmbH & Co. KG, Brunn am Gebirge

---

Field Account Manager (m/w/d) für das Vertriebsbüro in Pforzheim

GLYN GmbH & Co. KG, Pforzheim

---

Trainee Vertrieb und Produktmanagement (m/w/d) für Bachelorabsolventen

GLYN GmbH & Co. KG, Idstein

---

Alle Jobangebote im Elektroniknet Karrierebereich anzeigen

Lesen Sie mehr zum Thema

Weitere Artikel zu Infineon Technologies AG

المحكمة الإقليمية الأولى بميونيخ تُصدر

حكم براءة اختراع GaN في ميونيخ لصالح Infineon

Landgericht München I hat entschieden

Infineon gewinnt Patentverfahren gegen Innoscience

Health Electronics Summit 2025

Diagnose am Smartphone: Neuartiges Single-Chip-System mit NFC

Arbeitgeber im DACH-Vergleich

RheinEnergie rekrutiert am besten 

Zertifiziert nach ISO 26262 ASIL D

HighTec-C/C++-Compiler für Infineon Aurix TC4xx und TC3xx

Weitere Artikel zu Energietechnik

غضّ الطرف لا يُجدي نفعًا

أسباب انقطاع الكهرباء في إسبانيا

Augen verschließen nützt nichts

Das sind die Ursachen des spanischen Blackouts

Interview zum Spanien-Blackout

»Elektronik kann rotierende Massen kaum ersetzen!«

MV stärkt Forschungspläne

Landtag unterstützt Kernfusionsforschung in Rostock

Umorganisation der Tochtergesellschaften

ABB bündelt Geschäftstätigkeit in Deutschland