STMicroelectronics
Tandem-Dioden als Alternative zu Siliziumkarbid-Bausteinen
Ihre zweite Generation an Tandem-Dioden hat STMicroelectronics vorgestellt. Die Leistungsfähigkeit reicht bereits nahe an die von Siliziumkarbid-Dioden heran, die allerdings in der Regel um mindestens 30 Prozent teurer sind.
Verglichen mit den Bausteinen der ersten Generation zeichnen sich die neuen Tandem-Dioden durch eine weiter reduzierte Rückwärtserholladung (QRR) aus, was die Schaltverluste reduziert und den bestehenden Effizienzvorsprung gegenüber herkömmlichen ultraschnellen Dioden weiter ausbaut. Durch den niedrigeren QRR-Wert beschleunigt sich auch die Feinabstimmung der Schaltungsdesigns, was eine schnellere Markteinführung gestattet. Da sie deutlich kostengünstiger als SiC-Dioden sind, sollen Entwickler mit diesen Bauelementen auf kosteneffektive Weise die Energieeffizienz beispielsweise von Netzteilen, PV-Wechselrichtern und Ladestationen für Elektrofahrzeuge verbessern können.
Bei den Bausteinen der zweiten Generation, welche die bestehende Palette der 600-V-Tandem-Dioden von STMicroelectronics ergänzen, handelt es sich um die Produkte »STTH8T06DI« und »STTH8ST06DI«, ausgelegt für einen mittleren Durchlassstrom von 8 A, und die »STTH12T06DI« für Anwendungen mit bis zu 12 A. Der zulässige Stoßstrom-Scheitelwert in Durchlassrichtung liegt bei diesen Bauelementen auf dem Niveau ultraschneller Dioden, was für Robustheit und Zuverlässigkeit bürgt. Hinzu kommt ein großer Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +175 °C.
Alle Bausteine sind bereits in die Massenproduktion gegangen. Sie besitzen ein Isolated-Tab-Gehäuse vom Typ TO-220AC und kosten ab 1,57 US-Dollar (STTH8T06DI ab 1000 Stück).
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