Leistungshalbleiter

Panasonic

Spezielles Treiber-IC für GaN-Transistoren

Zur electronica startet Panasonic mit der Massenfertigung von speziellen Treiber-ICs für deren GaN-Transistoren. Gleichzeitig kommen auch zwei dazu passende, neue »X-GaN«-HEMTs für 600 V Sperrspannung auf den Markt.

Leistungsdichte und Effizienz verbessern

SiC-Halbleiterprodukte in der Anwendung

Welche Siliziumkarbid-Produkte gibt es derzeit am Markt und was muss bei der Auswahl des…

Beschleunigung für Formel E

Rohm schickt SiC ins Rennen – und in die Serienautos

Hohe Effizienz und hohe Arbeits-Temperaturen – SiC gilt als DAS Material der Zukunft für…

Moderne Halbleitertechnologien

GaN – Die Zeit ist reif

Die Vorteile von Galliumnitrid als Halbleitermaterial mit großem Bandabstand zeigen sich…

X-Fab

150-mm-SiC-Fertigung entsteht

Im Moment arbeitet X-Fab Silicon Foundries daran, die weltweit erste…

Interview Dr. Martin Schulz, Infineon

Power für Männerspielzeug

Leistungsmodule für Stadtbusse oder Muldenkipper müssen viel aushalten. Dr. Martin Schulz…

Treiber für GaN-Transistoren

Optimierte Performance

GaN-Transistoren schalten deutlich schneller als Silizium-MOSFETs. Sie verheißen geringere…

Für eine nachhaltige Leistungselektronik

SiC und die unterschiedlichen Zellstrukturen

Die Zellstrukturen von Leistungshalbleitern haben einen wesentlichen Einfluss auf die…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

»Keine halben Sachen«

Vier Jahre, nachdem Cree den ersten SiC-MOSFET verfügbar machte, hat Marktführer Infineon…

OptiMOS-Portfolio erweitert

150-V-MOSFET reduziert Durchlasswiderstand und Sperr-Erholladung

Infineon stellt mit dem OptiMOS 5 150 V einen neuen MOSFET der 5. Generation seiner…