Leistungshalbleiter

X-Fab

150-mm-SiC-Fertigung entsteht

Im Moment arbeitet X-Fab Silicon Foundries daran, die weltweit erste 150-mm-SiC-Wafer-Fertigung (6 Zoll) aufzubauen.

Interview Dr. Martin Schulz, Infineon

Power für Männerspielzeug

Leistungsmodule für Stadtbusse oder Muldenkipper müssen viel aushalten. Dr. Martin Schulz…

Treiber für GaN-Transistoren

Optimierte Performance

GaN-Transistoren schalten deutlich schneller als Silizium-MOSFETs. Sie verheißen geringere…

Für eine nachhaltige Leistungselektronik

SiC und die unterschiedlichen Zellstrukturen

Die Zellstrukturen von Leistungshalbleitern haben einen wesentlichen Einfluss auf die…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

»Keine halben Sachen«

Vier Jahre, nachdem Cree den ersten SiC-MOSFET verfügbar machte, hat Marktführer Infineon…

OptiMOS-Portfolio erweitert

150-V-MOSFET reduziert Durchlasswiderstand und Sperr-Erholladung

Infineon stellt mit dem OptiMOS 5 150 V einen neuen MOSFET der 5. Generation seiner…

ExoMars-Mission der ESA

Infineon-Halbleiter auf dem Weg zum Mars

Gestern sollte der erste »Botschafter« Europas auf dem Mars landen. An Bord der Sonde…

Rohm

SiC für Rennwagen

Weniger Gewicht, kleinere Bauform, geringerer Energieverbrauch, höhere Leistungsdichte und…

Marktstudie von Yole Développement

Die GaN-Halbleiterindustrie ist Fast & Furious

Nach so manchen Höhen und Tiefen ist Galliumnitrid am Markt angekommen. Marktforscher von…

Für Low-Voltage-Anwendungen

Effiziente N-Kanal-MOSFETs mit 40 V

Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im…