Leistungshalbleiter

Niedrige Verluste bei moderater Last

SiC-MOSFETs in Halbbrücken-Leistungsmodulen

Bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich, etwa den Antriebssträngen von E-Fahrzeugen, sind niedrige Leitungsverluste bei geringer Last gefragt. Leistungsmodule mit SiC-MOSFETs erfüllen diese Anforderung gut. Ein Beispiel sind mit…

electronica: Auswirkungen der Trump-Wahl

Erst der Brexit, jetzt Trump

Was sich auf der electronica letzte Woche nach der Wahl von Donald Trump zum 45.…

Geringe Belastung durch Spannungsspitzen

Neue 100-V-Leistungs-MOSFET-Technologie

Bei der Entwicklung rauscharmer Schaltwandler mit geringen Verlusten kommt den verwendeten…

Fraunhofer IAF

Galliumnitrid-Schaltungen monolithisch integriert

Aus GaN lassen sich nicht nur außergewöhnliche Einzelschalter fertigen. Da sich durch ihre…

Definition von Schottky-Dioden

Die Basis muss die Verlustleistung sein!

Weil tragbare Anwendungen immer ausgereifter werden und Endverbraucher längere…

CoolSiC-MOSFETs

Schritt für Schritt SiC-Designs etablieren

Um SiC für eine Vielzahl von Anwendungen wie Solarwechselrichter, USVs und Ladesysteme…

Panasonic

Spezielles Treiber-IC für GaN-Transistoren

Zur electronica startet Panasonic mit der Massenfertigung von speziellen Treiber-ICs für…

Leistungsdichte und Effizienz verbessern

SiC-Halbleiterprodukte in der Anwendung

Welche Siliziumkarbid-Produkte gibt es derzeit am Markt und was muss bei der Auswahl des…

Beschleunigung für Formel E

Rohm schickt SiC ins Rennen – und in die Serienautos

Hohe Effizienz und hohe Arbeits-Temperaturen – SiC gilt als DAS Material der Zukunft für…

Moderne Halbleitertechnologien

GaN – Die Zeit ist reif

Die Vorteile von Galliumnitrid als Halbleitermaterial mit großem Bandabstand zeigen sich…