Schwerpunkte
Auf einem neuen Zellendesign und einer modernen Dünnwafer-Technologie basieren die neuen SiC-MOSFETs für 650 V Durchbruchspannung, die ON Semiconductor nun vorgestellt hat. Dies soll die Schaltperformance und die Zuverlässigkeit verbessern.
Um seine ehrgeizigen Wachstumspläne umzusetzen, wird Nexperia für…
Mit dem NV6128 hat Navitas Semiconductor seine Familie an…
Mit einem Minus von etwa 1,5 Prozent sank der weltweite Umsatz mit…
Um 24 P-Kanal-MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V und –60…
Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen…
Gregg Lowe, CEO von Cree, hat bekanntgegeben, dass das Unternehmen…
Durch den Aufschwung bei Elektro- und Hybridautos (EV/HEV) ist die…
Bei Galliumnitrid gibt es bereits ein gut funktionierendes…
SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay…
P/E Zyklus bei SSDs selbst festlegen
