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MOSFETs und IGBTs

Ende der Achterbahnfahrt

18. April 2019, 10:35 Uhr | Engelbert Hopf

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»Automotive als Killerapplikation für SIC...«

Kasteleiner bestätigt auch, dass einige chinesische Hersteller versucht haben, die angespannte Liefersituation der letzten zwei Jahre zu nutzen, um sich durch aggressive Preispolitik und kurze Lieferzeiten im Leistungselektronikmarkt und bei europäischen Kunden zu etablieren. »Es ist davon auszugehen, dass einzelne chinesische Hersteller dies geschickt für sich nutzen können, und das mit hoher Wahrscheinlichkeit sogar langfristig«, stellt Kasteleiner fest. Scharfen hingegen sieht das anders: »Nach unserem Eindruck konnten chinesische Hersteller in Europa bis dato noch nicht in dem Umfang Marktanteile gewinnen, wie ihnen das zum Teil in ihrem heimischen Markt gelingt.« Auch Speidel gibt zu Protokoll, »bisher nur wenige chinesische Hersteller im europäischen Markt gesehen zu haben«. Nach Einschätzung von Dr. Wittorf »haben in letzter Zeit kleinere chinesische Hersteller von den Lieferproblemen der etablierten Hersteller profitiert«. Er geht aber davon aus, »dass im Bereich der diskreten Leistungshalbleiter die etablierten Hersteller aufgrund ihrer Produkt- und Lieferqualität wieder Anteile gewinnen werden«.

Etwas uneinig sind sich die verschiedenen Marktteilnehmer auch darin, ob der sich derzeit vollziehende Übergang vieler SiC-Leistungshalbleiter-Hersteller von 4- auf 6-Zoll-Wafer zu günstigeren Preisen für diese Bauteile führen wird. Während Dr. Wittorf davon ausgeht, dass die entsprechenden Hersteller dazu in der Lage sein sollten, und Speidel das ähnlich sieht, gibt Piela zu bedenken, dass das zwar möglich sei, »SiC aber immer noch am Anfang steht und Preisreduzierung, wie wir sie aus anderen Produktbereichen kennen, deshalb nicht garantiert werden können«. Neben dem Einwand von Klausner, dass SiC-Bauteile nach wie vor schwer herzustellen seien und es noch eine Weile Lieferengpässe bei SiC-Wafern geben dürfte, verweist Grasshoff darauf, »dass die Preisprojektionen auf Basis von 6-Zoll-Wafern bislang je nach Hersteller sehr unterschiedlich ausfallen. Für Volumenprojekte kommen wir ab 2023 teilweise in interessante Regionen, wo sich SiC im Fahrzeug rechnet«.

Diese Einschätzung teilen fast alle Befragten. Scharfen weist in diesem Zusammenhang darauf hin, »dass der überwiegende Teil der Systeme von Elektroautos gegenwärtig auf IGBTs basiert. Aber der Vorteil der höheren Effizienz von SiC lässt sich angesichts der höheren Kosten nur dann ausspielen, wenn das Auto über eine sehr große Batterie verfügt«. Bei Infineon geht man deshalb davon aus, dass SiC zunächst im Onboard-Charger und später auch im Hauptumrichter zum Einsatz kommen wird.

Auch Grasshoff sieht Automotive als die Killerapplikation für SiC: »Wenn das Volumen dort nicht kommt, dann wird SiC in der Nische bleiben!« Nach seiner Einschätzung wird SiC zunächst nur in der oberen Leistungsregion über 150 kW zum Einsatz kommen, da dort die Vorteile am größten sind: »Damit wird SiC nur in Elektrofahrzeugen zum Einsatz kommen, die Leistung in Hybridfahrzeugen ist zu klein«. Und GaN? Alfred Krappel, zuständig für Automotive & Market Strategy bei Exagan, ist sich sicher, »dass SiC vor allem im Inverterbereich zum Einsatz kommen wird; in anderen Applikationen sehen wir GaN-on-Silicon aufgrund der besseren Kostenstruktur eher in der Lage, die klassischen Silizium-MOSFETs zu komplementieren oder zu verdrängen«.