Leistungshalbleiter
Cree: 1200-V-Schottky-Diode aus SiC im D-Pak-Gehäuse
Für 5 A bei einer Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die Schottky-Diode »C2D05120E« aus Siliziumkarbid von Cree. Zudem ist sie im oberflächenmontierbaren D-Pak-Gehäuse (TO-252) untergebracht.
Die gleiche Performance wie die die Cree-Bausteine im TO-220-Gehäuse für Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Footprint und weniger Bauhöhe, soll die 1200-V-Schottky-Diode »C2D05120E« bieten. Dadurch lassen sich nach Aussage des Herstellers kompaktere, kostengünstigere und effizientere Mikro-Wechselrichter für Photovoltaik-Anwendungen entwickeln, als es mit den größeren Einsteck-Bauelementen möglich wäre.
So berichtet Cree, dass einige Kunden auf der Suche nach einem oberflächenmontierbaren Bauelement waren, das die von SiC-Schottky-Dioden gewohnte Performance bietet: Wegfall jeglicher Sperrverzögerungsverluste (Reverse Recovery), hochfrequenter Betrieb mit niedrigem EMI-Aufkommen und ein niedrigeres Temperaturniveau. Sie hätten damit die Möglichkeit, das Design ihrer Leistungs-Wechselrichter zu vereinfachen, ohne Abstriche am hohen Systemwirkungsgrad machen zu müssen. Das sei der Grund für den Umstieg auf das oberflächenmontierbare D-Pak-Gehäuse gewesen.
Die oberflächenmontierbaren SiC-Schottky-Dioden benötigen auf der Leiterplatte eine Montagefläche von ca. 6,6 mm x 9,9 mm bei einer Höhe von 2,3 mm. Der Sperrschichttemperaturbereich im Betrieb und der Lagertemperaturbereich sind mit ‑55 °C bis +175 °C angegeben. Die Bauteile sind vollständig für den Produktionseinsatz qualifiziert und freigegeben.
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