Energieeffizienz
Grünes DDR3-DRAM in 30-nm-Technologie
Samsung Electronics präsentiert ein 2-GBit-DRAM, das auf 30-nm-Fertigungstechnologie basiert. Das mit neuem Prozess hergestellte »Green DRAM« reduziert den Stromverbrauch um bis zu 30 Prozent gegenüber 50-nm-DRAMs.
Durch den Einsatz des 30-nm-Prozesses in der Massenproduktion von DDR3-Speichern lässt sich die Produktivität gegenüber der 40-nm-Prozesstechnologie um 60 Prozent steigern. Verglichen mit DRAMs, die in 50- bis 60-nm-Technologien gefertigt werden, ergibt sich mit dem neuen Prozess eine doppelt so hohe Kosteneffizienz.
Das in 30-nm-Technologie hergestellte »Green DRAM« reduziert den Stromverbrauch um bis zu 30 Prozent gegenüber 50-nm-DRAMs. Ein 4-GByte-Speichermodul mit 30-nm-Technologie verbraucht in einem Notebook der neuesten Generation 3 W pro Stunde. Das entspricht in etwa nur 3 Prozent des gesamten Leistungsverbrauchs eines Notebooks.
Die Massenproduktion des neuen DDR3-Speichers will Samsung in der zweiten Jahreshälfte 2010 aufnehmen.
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