Fujitsu Electronics Europe
AEC-Q100-qualifiziertes FRAM
Für Automotive und industrielle Anwendungen hat Fujitsu das FRAM MB85RS128TY mit einer Kapazität von 128 KBit entwickelt.
Der gemäß AEQ-Q100 qualifizierte Speicherbaustein von Fujitsu Electronics Europe mit SPI-Schnittstelle lässt sich im Temperaturbereich von -40 bis +125 °C an Spannungen von 1,8 bis 3,6 Volt betreiben. Die maximale Taktfrequenz ist mit 33 MHz angegeben.
Bereits seit 1999 offeriert Fujitsu FRAM-Lösungen. Zu Beginn des Jahres etwa ein dem MB85RS128TY vergleichbarer FRAM-Baustein mit 256 KBit Speicherkapazität. Als nichtflüchtige Speichertechnologie vereint FRAM drei Vorteile: schnellen Zugriff, hohe Lese-/Schreibbeständigkeit und geringen Energieverbrauch. Garantiert werden für das MB85RS128TY 10 Milliarden Schreib-/Lesezyklen.
Entwicklungsmuster sind verfügbar.
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