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Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

RISC-V-Ökosystem

STMicroelectronics wird sechster Aktionär bei Quintauris

Zu den Aktionären des 2023 gegründeten Unternehmens Quintauris zählen bereits namhafte…

Benutzererlebnis optimieren

Qvar-Sensorik: Das Potenzial der Potenzialänderung

Mit der Präsentation von Qvar ist STMicroelectronics ein bemerkenswerter Fortschritt in…

STMicroelectronics

BrightSense Bildsensor-Paket für medizinische Bildgebung

Ein neues Bildsensor-System für die Entwicklung hochleistungsfähiger Kamerasysteme für…

2. Quartal 2024

Umsatz und Gewinn von STMicroelectronics sinken deutlich

Das zweite Quartal lief nicht gut für STMicroelectronics. Das Unternehmen hat in diesem…

Das Angebot wird größer

Komponenten rund um GaN

Das Marktforschungsunternehmen Yole Group prognostiziert, dass der…

Hohe Leistungsdichte

Antriebs-Referenzboard mit 750 W Leistung

Das Antriebs-Referenzdesign EVLDRIVE101-HPD (High Power Density) von STMicroelectronics…

Foundries, OSATs und IC-Hersteller

Panel-Level-Packaging auf dem Vormarsch

Im zweiten Quartal 2024 haben IC-Hersteller wie AMD damit begonnen, gemeinsam mit TSMC und…

ST Edge AI Suite

Entwicklung AI-fähiger Produkte beschleunigen

STMicroelectronics gibt die Verfügbarkeit der ST Edge AI Suite bekannt, die Tools,…