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Navitas Semiconductor

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET auf den Markt bringen und damit in direkte Konkurrenz zu klassischen Silizum- und GaN-Leistungshalbleitern treten. Damit würden neue Anwendungsbereiche von den…

Power-Talk Teil 2

Standarisierung bremst Innovation

Anders als Marktforscher, glauben die Leistungshalbleiter-Hersteller nicht an die…

Power-Talk Teil 3

Geopolitische Herausforderungen

Aus Sicht der Leistungshalbleiter-Branche wäre es sinnvoller, in Europa Fabs mit…

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole…

Versorgungslage bei Leistungshalbleitern

»Alles läuft in die richtige Richtung«

Zwar fallen IGBTs und MOSFETs immer noch mit hohen Lieferzeiten auf, die flächendeckende…

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und…

Mögliche Ausfuhrbeschränkungen aus China

So reagiert die Halbleiterbranche auf die neuen Exportregeln

Mit der Einführung eines Lizenzregimes für den Export von Gallium und Germanium versucht…

Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des…

New Applications for Gallium Nitride

Stepping Out of the Consumer Niche

Millions of gallium nitride transistors (GaN) are already in use in chargers for our…

Neue Einsatzgebiete für Galliumnitrid

Raus aus der Consumer-Nische

Millionenfach arbeiten Galliumnitrid-Transistoren (GaN) inzwischen in Ladegeräten für…