Firma

INFINEON Technologies AG Neubiberg

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs hat Infineon nun CoolSiC-Hybrid-IGBTs für 650 V Sperrspannung vorgestellt. Im Vergleich zu einer Standardlösung mit Silizium-Diode soll dies die Energieverluste…

Transatlantische Handelsbeziehungen

Rückkehr zur Sachlichkeit

Rückbesinnung auf gemeinsame Ziele und die Suche nach Verhandlungslösungen, die für alle…

embedded world Conference 2021

The Keynote Speakers 2021

»embedded.intelligent.systems – the innovators' place to be« is the motto of the embedded…

Infineon Technologies

Guter Start in das Geschäftsjahr 2021

Infineon ist gut ins erste Quartal des Geschäftsjahres 2021 gestartet, das am 31. Dezember…

Automotive-Halbleiter

Greift Samsung nach NXP oder Infineon?

Nach einem Bericht der Korean Times möchte sich Samsung Electronics gezielt Bereich…

Europäisches Forschungsprojekt

Zuverlässigkeit elektronischer Komponenten erhöhen

Die europaweite Forschungsinitiative Intelligent Reliability 4.0 (iRel40) will die…

Samsung in Kauflaune

Steht Infineon auf der Übernahmeliste?

Samsung könnte Infineon übernehmen, aber auch Texas Instruments NXP oder Renesas werden…

embedded world Conference 2021

Die Keynote-Sprecher 2021

»embedded.intelligent.systems – the innovators' place to be« ist das Motto der embedded…

Bauteilemangel bremst Automarkt

So erklärt die Halbleiterbranche die Lieferengpässe

Wegen Lieferengpässen im Halbleiterbereich mussten europäische und amerikanische…

Knowmade

Patentlandschaft bei Power-Modulen entwickelt sich dynamisch

Durch den Aufschwung bei Elektro- und Hybridautos (EV/HEV) ist die Zahl der…