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Interview with Dr. Peter Friedrichs

20 Years of Silicon Carbide at Infineon

Infineon launched the first silicon carbide components 20 years ago. Dr. Peter Friedrichs, now Vice President SiC at Infineon, was already on board at that time. We were able to talk exclusively with him about this and much more.

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei…

Milliardeninvestitionen bei Leistungs-HL

Siegeszug der 300-mm-Wafertechnologie

Mit dem Einzug der 300-mm-Fabs in die Leistungshalbleiterfertigung steht die Branche vor…

Infineon Technologies

CoolMOS mit nur 10 mΩ

Um die Anforderungen für statische Schaltanwendungen zu erfüllen, hat Infineon seine…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren hat Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt gebracht.…

Fahrerassistenzsystem

Objektdaten oder Rohdaten verarbeiten?

Automatisiertes Fahren setzt die genaue Kenntnis der Umgebung mithilfe von Daten…

Infineon

Fertigung in Austin fährt wieder hoch

Die Fertigungsanlagen von Infineon Technologies in Austin, Texas, sind wieder in Betrieb…

Siemens Mobility/Infineon

Siliziumkarbid macht Bahnfahren »grüner«

Um die Mobilität der Zukunft auch nachhaltiger zu gestalten, haben Siemens Mobility und…

Predictive Maintenance für Chipfertigung

Industrie-4.0-System für IC-Fab in nur drei Monaten

Innerhalb von nur drei Monaten konnte ein interdisziplinäres Team ein Pilotsystem zur…

Infineon / MOSFETs

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die…