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Infineon / MOSFETs

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die neuen 80-V- und 100-V-MOSFETs punkten mit einem um 40 Prozent niedrigeren Durchlasswiderstand und eine um 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung.

Lieferzeiten und Preise bei MOSFETs

Heute schon den Bedarf für Q1/2022 bestellen

Aus der sich seit Monaten abzeichnenden allgemeinen Bauteilverknappung sticht für die…

Brexit: Auswirkungen auf Warenverkehr

Papierberge statt schneller Abfertigung

Zwar verzichtet der britische Zoll noch bis 1. Juli auf klassische Kontrollen, doch allein…

EU-Projekt QLSI gestartet

Skalierbare Silizium-Qubits

Das Fraunhofer IPMS entwickelt zusammen mit europäischen Partnern eine skalierbare…

Infineon

Zukunftssichere Kryptocontroller-Plattform

Die neue Security-Controller-Plattform von Infineon erlaubt auch künftig kontaktlose…

Exklusiv-Umfrage

Was die Elektronikbranche vom neuen US-Präsidenten erwartet

Zuverlässigkeit und den Willen zur internationalen Zusammenarbeit, diese Erwartungen…

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs…

Transatlantische Handelsbeziehungen

Rückkehr zur Sachlichkeit

Rückbesinnung auf gemeinsame Ziele und die Suche nach Verhandlungslösungen, die für alle…

embedded world Conference 2021

The Keynote Speakers 2021

»embedded.intelligent.systems – the innovators' place to be« is the motto of the embedded…

Infineon Technologies

Guter Start in das Geschäftsjahr 2021

Infineon ist gut ins erste Quartal des Geschäftsjahres 2021 gestartet, das am 31. Dezember…