Elektronik

© Componeers GmbH

DC-DC-Wandler

Grenzen bei Hochsetzstellern

Ein Hochsetzsteller bzw. Boost-Reglern kann eine Spannung in eine höhere Spannung umsetzen. Doch die Frage ist: Um welchen Faktor sich lässt die Eingangsspannung hochsetzen? Dabei spielt nicht nur das Tastverhältnis eine Rolle.

© onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

© Fraunhofer IISB

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

© HopuWiki

Trennverstärker

Spannungen in Antrieben isoliert erfassen

Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen Spannungen,…

© Componeers GmbH, onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

© Renesas

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…

© Zendure

Kapazität von bis zu 64 kWh

Neues Heim-Energiesystem mit Semi-Solid-State-Batterie

Das Start-up Zendure hat ein portables Plug&Play-Energiesystem für Zuhause neu auf den…

© Componeers GmbH, onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den…

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CUI Devices

USB-4-Steckverbinder für 240 W und 40 Gbit/s

Der USB-4-Standard bietet Datenraten bis 40 Gbit/s und Leistungen bis 240 W. Damit lässt…

© beebright – stock.adobe.com

Fahrzeugkommunikation

Neues Konzept für 5G-V2X und DSRC

Für die Kommunikation zwischen Fahrzeugen werden leistungsfähige Funksysteme in den…