Elektronik

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Galliumnitrid

Integrierte GaN-Gate-Treiber im Vergleich

GaN-Transistoren sind Silizium-MOSFETs in vielem überlegen – nur nicht in der Ansteuerung. Mit einem System-in-Package aus HEMT und Gate-Treiber kann der Hersteller des GaN-HEMT den optimalen Treiber auswählen – und der Anwender muss sich darum keine…

© Texas Instruments, Würth Elektronik

Texas Instruments

Höhere Leistungsdichte dank integrierter GaN-Lösungen

Auch wenn Lösungen mit GaN-Transistoren höhere Leistungsdichten und Wirkungsgrade…

© Componeers GmbH

Operationsverstärker

OPVs für batteriebetriebene IIoT-Anwendungen

Auch nach acht Jahrzehnten sind Operationsverstärker (OPVs) in vielen Anwendungen…

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Thermosimulation

Blumentopfheizung - eine Schnapsidee?

Dylan Winter drehte vor etwa einem Jahr ein Video, in dem vier Teelichter zum Erwärmen…

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Extrem schnelles Laden von Batterien

Nur 3 Prozent Ladungsverlust nach 2600 Zyklen

Die kommerziellen 7-Ah-Zellen von Charge CCCV (C4V) hat Magnis Energy in jeweils nur 20…

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Materialrecycling

Aus alten Batterien werden neue

Im Projekt LiBinfinity erarbeiten Partner aus Forschung und Industrie ein ganzheitliches…

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Tipps für den praktischen Einsatz

EMV bei Kleinantrieben

EMV beschreibt die Fähigkeit elektrischer und elektronischer Komponenten, in einer…

© dpa-Bildfunk

Neuer Termin unklar

Erneut Startabbruch bei Nasa-Mondmission

Mit dem »Artemis«-Programm will die Nasa zurück zum Mond – aber die Mission steht unter…

© Microchip, Würth Elektronik

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele zu…

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IoT-Geräte mit Wi-SUN-Funkkommunikation

Entscheidungshilfe für die Wahl des passenden Wi-SUN-Stacks

Skalierbarkeit, Zuverlässigkeit, Sicherheit und Schnelligkeit – dies sind die Vorteile,…