Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid. Nun haben Forschende am Fraunhofer IISB einen Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser in technologierelevanter Qualität gezüchtet.
Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen Spannungen,…
Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…
Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…
Das Start-up Zendure hat ein portables Plug&Play-Energiesystem für Zuhause neu auf den…
Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den…
Der USB-4-Standard bietet Datenraten bis 40 Gbit/s und Leistungen bis 240 W. Damit lässt…
Für die Kommunikation zwischen Fahrzeugen werden leistungsfähige Funksysteme in den…
Noch einen Monat bis zur Konferenz »Internet of Things« mit zwanzig Vorträgen und Keynotes…
Atlas Magnetics hat ein Dünnfilmmaterial und einen Prozess entwickelt, um magnetische…
