Blog Serie Teil 1
Was versteht man unter einer ‚Smart Gate Drive‘-Architektur?
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Störbeeinflussungen durch Oszillationen am Schalt-Knoten und ihre Eliminierung
Bild 3 zeigt ein weiteres Beispiel für Oszillationen am Schalt-Knoten. In diesem Fall handelt es sich um hochfrequente Oszillationen, deren Oberwellen zur einem erhöhten Aufkommen an HF-Störbeeinflussungen führen (siehe Bild 4).
Durch Variieren von IDRIVE lässt sich die Flankensteilheit des MOSFET modifizieren, um die hochfrequenten Oszillationen zu eliminieren (siehe Bild 5). Der HF-Scan in Bild 6 verdeutlicht die deutlich geringen HF-Störabstrahlungen.
Unter Berücksichtigung der soeben beschriebenen Aspekte hat Texas Instruments kürzlich den Gatetreiber DRV8305-Q1 mit Smart Gate Drive für bürstenlose Gleichstrommotoren vorgestellt. Der Baustein ist speziell für Automotive-Anwendungen wie etwa Pumpen, Ventile, Lüfter usw. konzipiert.
Automotive-Anwendungen sind wegen der hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit und die elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) ein ideales Anwendungsgebiet für Gatetreiber mit mehr Eigenintelligenz. Näheres ist dem Datenblatt zum DRV8305-Q1 zu entnehmen.
Zusätzliche Ressourcen
- Lesen Sie diese Anwendungsberichte:
- Sehen Sie sich auch diese TI-Lehrvideos an:
- Smart Gate Drive Technology Introduction.
- Smart Motor Gate Drive Serie: MOSFET Slew Rate Control.
- Smart Gate Drive Technology Introduction.
- Weitere Posts außerdem im TI E2E™ Community Motor Drivers Forum.
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