Die Schaltungen für drahtlose Kommunikation bei intelligenten Steckdosen sind der äußeren Umgebung einschließlich menschlicher Berührung ausgesetzt. Daher sollten sie insbesondere vor elektrostatischer Entladung (ESD) geschützt werden. Die Wahl der optimalen Sicherungstechnologie hängt vom Bedrohungsgrad, der Systemarchitektur und dem Formfaktor ab.
Komponenten zur Unterdrückung von ESD schützen sowohl die Wireless-Chipsätze als auch den digitalen Schaltkreis hinter der drahtlosen Schnittstelle. TVS-Diodenarrays und Polymer-ESD-Unterdrücker stellen zwei mögliche Lösungen dar. TVS-Diodenarrays besitzen die Vorteile einer möglichst niedrigen Klemmspannung und einer minimalen Gehäusegröße. Beide Komponenten weisen einen geringen Leckstrom und eine niedrige Kapazität von unter 1 pF auf. Eine typische TVS-Diode für diese Anwendung widersteht +/- 12 kV ESD gemäß der Norm IEC 61000-4-2.
Sowohl TVS-Diodenarrays als auch Polymer-ESD-Unterdrücker haben eine kleine Grundfläche und verbrauchen damit nur wenig wertvollen Platz auf der Leiterplatte. Sehr wichtig ist, dass diese Bauelemente je nach ausgewählter Komponente bis zu 30 kV aus direktem Kontakt und bis zu 30 kV aus Übertragung durch die Luft gemäß IEC61000-4-2 widerstehen können. Die Polymer-ESD-Bauteile reagieren auf ESD-Spannungen in weniger als einer Nanosekunde, während die TVS-Dioden in weniger als einer Pikosekunde reagieren. Wenn die Größe eine wichtige Rolle spielt: Die Polymer-ESD-Bauteile haben eine maximale Grundfläche (Länge der Pads) von 3 mm, während die TVS-Dioden eine maximale Grundfläche von 9 mm aufweisen.
Primäre Parameter für Polymer-ESD-Unterdrücker: