20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs
Geringste Durchschaltwiderstandswerte
2. Juni 2010, 9:54 Uhr |
Alfred Goldbacher
International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der mit einem RDS(on)-Wert von 1,2 mOhm (max.) bei 4,5 V Gate-Source-Spannung ausgewiesen ist.
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Der IRFH5250TRPbF wiederum zeichnet sich durch einen RDS(on) von 1,15 mOhm in Verbindung mit einer Gateladung von lediglich 52 nC aus. Dritter im Bunde ist der IRFH5300TRPbF mit einem RDS(on) von 1,4 mOhm in Kombination mit einer Gateladung von 50 nC. Untergebracht sind sie jeweils in einem 5 x 6 mm2 großen PQFN-Gehäuse.
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