MOSFETs
Robust schaltende 900-V-MOSFETs
Mit der Baureihe Polar-HiPerFETTM hat Ixys 900-V-MOSFETs entwickelt, die in verschiedenen Drain-Strom-Klassifizierungen (10,5 bis 56 A) ab sofort bei MSC erhältlich sind.
Die Polar-Technologie, die den MOSFETs von Ixys zugrunde liegt, ist darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Kapazität aufrecht zu erhalten. Dadurch resultiert eine signifikante Verkleinerung der Übertragungs- und Schaltungsverluste bei den Bausteinen. Die Leistungsfähigkeit wird bei den robust schaltenden Bauelementen mit einer Body-Diode optimiert, die über eine geringe Sperrverzögerungszeit (trr) verfügt.
Die verbesserten Abschaltwerte (dV/dt) tragen dazu bei, Hochvolt- und Applikationen mit hohen Schaltleistungen sicherer und "stressfreier" zu beschalten. Daher eignen sich die MOSFETs für den Einsatz in Stromversorgungen, AC/DC-Motorantrieben, Servo-Steuerungen oder aktiven PFC-Schaltkreisen. Zu den ersten fünf Bausteinen der Produktfamilie zählen:
- IXFR18N90P (900 V, 10,5 A, Rdson max. 660 mΩ, Isoplus-Gehäuse)
- IXFV12N90P (900 V, 12 A, Rdson max. 900 mΩ, Plus220-Gehäuse)
- IXFH24N90P (900 V, 24 A, Rdson max. 420 mΩ, TO247-Gehäuse)
- IXFN40N90P (900 V, 33 A, Rdson max. 210 mΩ, SOT227-Gehäuse)
- IXFB52N90P (900 V, 52 A, Rdson max. 160 mΩ, Plus264-Gehäuse
Die Polar-HiPerFETTM-Bausteine sind in verschiedenen Gehäusen sowie im bedrahteten als auch im SMD-Package verfügbar. Weitere Versionen sind im Isoplus-Gehäuse von Ixys erhältlich, die der UL-Richtline entsprechen, eine 2,5-kV-Isolation aufweisen und gute Leistungsmerkmale bei wechselnden thermischen Beanspruchungen aufwarten.
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