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Schottky-Diode

600-V-GaN-Bauteil von microGaN und Diotec leitet 4 A

2. November 2010, 9:24 Uhr | Ralf Higgelke

Gemeinsam haben microGaN und Diotec eine Schottky-Diode aus dem Halbleitermaterial Galliumnitrid vorgestellt, die ein Vorwärtsspannung von 1,2 V bei 4 A hat. Solche Bauteile mit 600 V Sperrspannung eignen sich für PFC- oder Umrichterstufen.

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Die Firmen microGaN und Diotec Semiconductor kooperieren auf dem Gebiet des Designs und Marketings von Galliumnitrid-Halbleitern (GaN). Eine der neuesten Entwicklungen ist eine 600-V-Schottky-Diode, mit Barrierenhöhe von 0,3 V, die bis zu 4 A leiten kann. Wie jede Schottky-Diode hat dieses Bauteil eine vernachlässigbare Sperr-Erholzeit, und nur eine sehr geringe, durch die Sperrschichtkapazität verursachte Schaltzeit. Die Speicherladung liegt im Bereich vergleichbarer Siliziumkarbid-Bauteile (SiC), während ihre Flussspannung im Vergleich deutlich niedriger liegt: bei 4 A und +25 °C typisch bei 1,2 V, bei +100 °C typisch 1,6 V.

Solche Bauteile eignen sich für hochfrequent getaktete Schaltungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) oder Umrichterstufen. Sie verbessern den Wirkungsgrad einer PFC-Schaltung besonders im Teillastbereich. Die Verluste in Antriebs- oder Solarwechselrichtern können signifikant reduziert werden, indem die parasitäre Diode der verwendeten Superjunction-MOSFETs durch die SiGaN-Schottkys überbrückt wird.

Die Bauteile werden zunächst von ausgewählten Pilotkunden getestet, bevor Sie einem breiten Anwenderkreis zur Verfügung stehen.