Superjunction-MOSFETs
Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für mehr Energieeffizienz im (Elektro-)Auto
Infineon Technologies ergänzt mit der Produktserie 650 V CoolMOS CFDA sein Produktportfolio im Automotive-Bereich. Die Familie mit integrierter Fast-Body-Diode wurde insbesondere für resonante Topologien entwickelt, die in Batterieladegeräten, DC/DC-Umwandlern und HID-Beleuchtungen einsetzt werden, beispielsweise für Hybrid- und Elektro-Fahrzeuge.
Die Baureihe vereint sämtliche Vorteile schnell schaltender Superjunction-MOSFETs – nämlich ein hoher Wirkungsgrad im geringen Lastbereich, eine niedrige Gate-Ladung, geringe Schaltverluste, einfache Handhabung und eine hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus verfügt sie über einen niedrigen flächenspezifischen RDSon (von 48 bis 660 mΩ) mit einem leicht zu steuernden Schaltverhalten und eine unempfindliche Body-Diode. Die reduzierten Werte von Qrr und Qoss bei der wiederholten Kommutierung der Body-Diode führen zu geringeren Verzögerungszeiten beim Ein- und Ausschalten und somit zu niedrigeren Schaltverlusten.
Eine gute Steuerbarkeit in Kombination mit einem sanften Schaltverhalten minimiert das Auftreten elektromagnetischer Störungen. Zudem können Entwickler aufgrund Überspannungsverhaltens der Body-Diode bei harten Schaltvorgängen schneller und leichter implementieren.
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