Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

International Rectifier

Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf ihrer GaN-basierten Leistungsbaustein-Technologieplattform beruhen. Sie kommen in einem Heimkinosystem von Samsung zum Einsatz.

Rohm Semiconductor

Neue SiC-MOSFET-Generation mit hoher maximaler Sperrschichttemperatur

Die N-Kanal Leistungs-MOSFETs auf SiC-Basis sollen nicht nur für weniger Verlustleistung…

International Rectifier

40-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

International Rectifier hat AEC-Q101-qualifizierte 40-V-N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem…

Infineon Technologies

Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant…

Stromversorgung

Dioden im Vergleich

Wo entsteht in einer Stromversorgung meist die größte Wärme und wird damit oft die meiste…

Hochspannungs-IGBTs

Antriebe umweltfreundlich gestalten

Entwickler von Umrichter-gesteuerten industriellen Motorantrieben fordern hohe…

Gate-Widerstände konfigurieren

IGBTs parallel ansteuern

Da die Nachfrage nach immer leistungsfähigerer Elektronik weiter steigt, müssen Lasten mit…

Optimierte Dioden

Komponenten mit 650 V Sperrspannung

Unterschiedliche Anwendungen erfordern optimierte Leistungshalbleiter. Abhängig von der…

Fairchild Semiconductor

Vierfach-MOSFET als Brückengleichrichter

Vier 60-V-MOSFETs hat Fairchild in dem »FDMQ86530L« integriert. Dieses Bauteil kann…

Infineon Technologies

»DrBlade« – die neue Generation »DrMOS«

Auf der APEC 2013 hat Infineon »DrBlade« vorgestellt – einen MOSFET-Treiber mit…