Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Gate-Widerstände konfigurieren

IGBTs parallel ansteuern

Da die Nachfrage nach immer leistungsfähigerer Elektronik weiter steigt, müssen Lasten mit hohen Spannungen und Strömen angesteuert werden. Um diese bereitzustellen, sind parallel geschaltete leistungselektronische Bauteile erforderlich, zum Beispiel…

Optimierte Dioden

Komponenten mit 650 V Sperrspannung

Unterschiedliche Anwendungen erfordern optimierte Leistungshalbleiter. Abhängig von der…

Fairchild Semiconductor

Vierfach-MOSFET als Brückengleichrichter

Vier 60-V-MOSFETs hat Fairchild in dem »FDMQ86530L« integriert. Dieses Bauteil kann…

Infineon Technologies

»DrBlade« – die neue Generation »DrMOS«

Auf der APEC 2013 hat Infineon »DrBlade« vorgestellt – einen MOSFET-Treiber mit…

NXP

Hot-Swap-fähige Leistungs-MOSFETs

NXP Semiconductors hat mit der NextPower-Live-Serie eine Leistungs-MOSFET-Familie…

Gartner

Power-Transistor-Markt wächst bis 2016 auf knapp 12 Mrd. Dollar

Kräftiges Wachstum im Industrie- und Automotive-Bereich, Preisverfall und stagnierende…

Franchise und Liefervereinbarung in einem

Rutronik und BYD schließen strategische Partnerschaft

Die BYD Company und Rutronik haben eine strategische Partnerschaft geschlossen: Der…

Galliumnitrid-Leistungsbauelemente

Fujitsu fertigt ab 2013 GaN-Schalter

Mit GaN-Leistungsbauelementen möchte Fujitsu Semiconductor hocheffiziente…

Fairchild Semiconductor

40 V PowerTrench-MOSFET für Servolenkungen

Fairchild Semiconductor hat mit dem FDB9403 einen 40 V N-Kanal Powertrench-MOSFET auf den…

Entwickeln mit Digital-Power

System optimal versorgt

Chips in modernen Hochleistungs-Computer-Subsystemen zu versorgen, bringt immer höhere…