Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

STMicroelectronics

Tandem-Dioden als Alternative zu Siliziumkarbid-Bausteinen

Ihre zweite Generation an Tandem-Dioden hat STMicroelectronics vorgestellt. Die Leistungsfähigkeit reicht bereits nahe an die von Siliziumkarbid-Dioden heran, die allerdings in der Regel um mindestens 30 Prozent teurer sind.

SiC-Halbleiter von Cree, SiC-Module von Powersem

Mit SiC-Power-Modulen Leistung hocheffizient wandeln

Die Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter wie SiC und GaN haben aufgrund ihrer physikalischen…

Die Kunst des Scheiterns

Zur Schönheit defekter Schaltkreise

Die IEEE schreibt jährlich einen Fotowettbewerb aus, der die schönsten Fotos fehlerhafter…

Forschungserfolg

Neue Hoffnung für Graphen-Transistoren

Graphen wird die Technik-Welt revolutionieren, hieß es vor einigen Jahren. Physiker der…

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das…

Leistungselektronik

Neue Aufbautechnik für das Hybrid-Fahrvergnügen

Im Jahr 2020 sollen Hybrid- und Elektrofahrzeuge einen wesentlichen Beitrag zur CO2- und…

Leistungselektronik

Rutronik: Keine Insellösungen!

»Unser Ansatz ist die Komplettlösung im Bereich der Bauelemente und keine partielle…

Leistungshalbleiter

650 V Automotive-MOSFETs im TO-247-Gehäuse

Die Bausteine STW78N65M5 und STW62N65M5 von STMicroelectronics sind laut…

GaN-Leistungshalbleiter

Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm

Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet,…

ON Semiconductor

AEC-Q100- und AEC-Q101-qualifizierte diskrete und Standard-ICs

ON Semiconductor erweitert sein Angebot an AEC-Q100- und AEC-Q101-qualifizierten…