Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

IGBT-Module

Umrichter effizient gestalten

Energieeffizienz lässt sich nicht allein auf den Wirkungsgrad reduzieren, vielmehr ergibt sie sich aus einem Zusammenspiel verschiedener Aspekte: Verlustleistung, thermisches Management, Zuverlässigkeit und Schaltverhalten. Zudem müssen diese Punkte…

IGBT

Nennspannung bis 1.350 V

Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba…

Hochvolt-MOSFETs

Wirkungsgrad steigern mit CE-MOSFETs

Die CoolMOS-CE-Familie ist die vierte Technologie-Plattform der Hochvolt-MOSFETs von…

Elektrische Traktion

Ohne große Verluste von A nach B

Unabhängig von Art und Technik des Beförderungsmittels haben elektrische…

Galliumnitrid und Siliziumkarbid

Neue Materialien, neue Möglichkeiten

Die Nachfrage nach leistungselektronischen Systemen steigt und wird auch in den nächsten…

300-mm-Dünnwaferfertigung

Mit Power300 in die Zukunft

Infineon ist es als erstem Unternehmen gelungen, Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern zu…

Mikrocontroller

XMOS - der Echtzeit-Prozessor

32-bit-Mikroprozessoren mit Betriebssystem erreichen harte Echtzeit nur bedingt.…

Bipolartransistor reloaded

Neuartiger Halbleiter aus Siliziumkarbid

Siliziumkarbid kann den Bipolartransistoren wieder neues Leben einhauchen. Im Gegensatz zu…

International Rectifier

IPS AUIR3320S mit niedrigem Einschaltwiderstand

Mit dem AUIR3320S bringt IR einen zuverlässigen intelligenten Leistungsschalter auf den…

IGBT-Module

Aufbauinduktivität reduziert

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist eine…