Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

GaN Systems

Larry Spaziani zum Vice President Product Management ernannt

Seit 22. Juli 2013 leitet Larry Spaziani das Produktteam und ist verantwortlich dafür, die Akzeptanz von Galliumnitrid-Transistoren von Gan Systems am Markt voranzutreiben. Zuletzt war Spaziani bei International Rectifier als Executive Director für…

Gesamtkosten entscheiden

Ist SiC wirklich teuerer als Silizium?

Der weit verbreiteten Aussage, dass SiC-Leistungsbauelemente zwar wesentlich effizienter…

Bordnetz

Evolution der Bordnetzarchitektur durch 48-V-Versorgungsbus

Nachdem das 42-V-Bordnetz vor zehn Jahren gescheitert war, klopft mit dem 48-V-Bus ein…

Power Line-kompatibler IC erleichtert Smart…

STMicroelectronics bringt ersten IC mit Kompatibilität für offenen METERS AND…

Der ST75MM ist der weltweit erste »Smart Meter-Integrierte Schaltkreis«, der den offenen…

International Rectifier

»GaN wird zukünftig zu einer unserer wichtigsten Triebfedern«

In fünf Jahren hat Oleg Khaykin, CEO und President von International Rectifier, das…

Rechtsstreit beigelegt

Internationale Rectifier und EPC erzielen Einigung

Seit 2009 gab es einen Rechtstreit zwischen Internationale Rectifier und Efficient Power…

Toshiba

Serienfertigung von SiC-Bauteilen gestartet

Toshiba Electronis hat mit der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern in seinem Werk…

Infineon Technologies

650 V CoolMOS C7

Die CoolMOS C7-Familie von Infineon Technologies zeichnet sich laut Unternehmensangabe…

Forschungserfolg

Epitaxiale SiC-Schicht auf 300-mm-Silizium-Wafern

Eines der Probleme von GaN auf Silizium ist die Fehlanpassung von Thermokoeffizient und…

Deutlich mehr Anbieter

SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur

Während sich Siliziumkarbid (SiC) vor allem für Applikationen mit Sperrspannungen über…