Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Toshiba

Serienfertigung von SiC-Bauteilen gestartet

Toshiba Electronis hat mit der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern in seinem Werk Himeji in der japanischen Präfektur Hyogo begonnen. Als erstes Produkt produziert das Unternehmen Schottky Barrier Dioden (SBD).

Infineon Technologies

650 V CoolMOS C7

Die CoolMOS C7-Familie von Infineon Technologies zeichnet sich laut Unternehmensangabe…

Forschungserfolg

Epitaxiale SiC-Schicht auf 300-mm-Silizium-Wafern

Eines der Probleme von GaN auf Silizium ist die Fehlanpassung von Thermokoeffizient und…

Deutlich mehr Anbieter

SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur

Während sich Siliziumkarbid (SiC) vor allem für Applikationen mit Sperrspannungen über…

International Rectifier

Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf…

Rohm Semiconductor

Neue SiC-MOSFET-Generation mit hoher maximaler Sperrschichttemperatur

Die N-Kanal Leistungs-MOSFETs auf SiC-Basis sollen nicht nur für weniger Verlustleistung…

International Rectifier

40-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

International Rectifier hat AEC-Q101-qualifizierte 40-V-N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem…

Infineon Technologies

Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant…

Stromversorgung

Dioden im Vergleich

Wo entsteht in einer Stromversorgung meist die größte Wärme und wird damit oft die meiste…

Hochspannungs-IGBTs

Antriebe umweltfreundlich gestalten

Entwickler von Umrichter-gesteuerten industriellen Motorantrieben fordern hohe…