Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Showa Denko

6 Zoll großer SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungshalbleiter

Showa Denko hat angekündigt, noch im Oktober dieses Jahres damit zu beginnen, sechs Zoll große Epitaxie-Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) für Leistungshalbleiter zu produzieren. Testwafer standen seit Anfang dieses Jahres zur Verfügung.

IGBT-Treiber

Für Strombelastungen bis zu 3.600 A

Der Mannheimer Distributor GvA Leistungselektronik GmbH erweitert sein Angebot mit dem…

Si vs. SiC

Wie leistungsfähig sind SiC-MOSFETs?

Leistungswandler mit Siliziumkarbid-Bauelementen versprechen im Vergleich zu…

Photodetektor

Der schnellste seiner Klasse

Der Photodetektor BPDV3120R erreicht eine 3-dB-Bandbreite von 70 GHz.Mit der hohen…

Neue IGBT- und Dioden-Generation

Höhere Leistungsdichte bei Umrichtern

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist es, die Kosten zu…

Mouser

Leistungs-MOSFETs für raue Bedingungen

Mouser Electronics führt jetzt die für Automobilanwendungen nach AEC-Q101 zugelassenen…

Power bei Glyn

»Renaissance der Leistungselektronik«

Auch wenn die Leistungselektronik momentan »en vogue« ist: Um sich als Distributor im Feld…

Crees zweite Generation von SiC-MOSFETs reduziert…

Ist Siliziumkarbid wirklich noch teurer als Silizium?

Der weit verbreiteten Aussage, dass SiC-Leistungsbauelemente zwar wesentlich effizienter…

Arkansas Power Electronics

Elektroantriebe mit SiC und GaN entwickeln

Das US-Energieministerium hat einem Konsortium unter der Führung von Arkansas Power…

Für Stromversorgung und Leistungswandlung

CoolMOS 7 eröffnet neue Effizienzbereiche

Über die Verfeinerung der Transistor-Strukturen in Kombination mit Verbesserungen des…