Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

STMicroelectronics

1200-V-SiC-MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen

STMicroelectronics erweitert sein Produktportfolio um einen 1200-V-SiC-MOSFET mit einem Einschaltwiderstand von 290 mΩ. Die max. Sperrschichttemperatur beträgt 200 °C.

Transphorm und Fujitsu Semiconductor

Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern

Durch die Überführung in Fujitsus CMOS-kompatibler 150-mm-Wafer-Fab in Aizu-Wakamatsu…

Wide-Band-Gap-Materialien im Elektroauto

Toyota testet Alltagstauglichkeit von SiC-Leistungshalbleitern

Wide-Band-Gap-Materialien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid können die Systemeffizienz…

IHS Technology

Halbleiter: Stabiles Wachstum auf breiter Basis

Die Analysten von IHS Technology erwarten, dass der weltweite Halbleitermarkt in diesem…

Infineon Technologies

Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen

Seit 13. Januar 2015 ist International Rectifier (IR) Teil von Infineon, nachdem auch die…

Gartner Power-IC-Prognose 2015

GaN wird erst in fünf Jahren wirklich marktrevant

Dr. Stephan Ohr, Semiconductor Research Director bei Gartner Technology und Service…

Energiesparende MOSFETs und IGBTS

Moderne Technologien für effiziente Halbleiter

Wide-Bandgap-Techniken wie Silizium-Carbid sorgen ebenso wie wie moderne IGBTs in »Trench…

3-Level-IGBT-Module

Raus aus der Nische

3-Level-IGBT-Module gibt es seit über 30 Jahren – allerdings meist in Nischenanwendungen.…

4,5-kV-IGBT- und Dioden-Chipsatz

IGBTs in HGÜ-Anwendungen

Die Elektronik in HGÜ-Anwendungen muss gewissen Anforderungen genügen: Robustheit,…

Gehäuse für Leistungshalbleiter

TO-Leadless - Leistungsgehäuse für hohe Ströme

Erste Leistungshalbleiter-Gehäuse waren groß, schwierig zu verarbeiten und ihre Kühlung…