Produkt

PV-Wechselrichter

Sanix setzt auf SiC-MOSFETs von Cree

Sanix setzt bei seinen neuen Drei-Phasen-Wechselrichtern mit 9,9 kW auf 1200-V-SiC-MOSFETs von Cree. Die Wechselrichter sind für den kommerzielle PV-Analgen im schnell wachsenden japanischen Markt bestimmt.

Vishay

Silizium-PIN-Fotodioden für Automotive-Applikationen

Vishay Intertechnology hat sein Portfolio an Optoelektronik-Bauteilen um zwei schnelle,…

Mouser Electronics

Weltweites Exklusivabkommen mit GaN Systems

Mouser Electronics vertreibt nun die Hochleistungstransistoren auf Galliumnitrid-Basis von…

Wide-Bandgap-Halbleiter

GaN-on-Si ist zuverlässig

Auf Galliumnitrid basierende Leistungshalbleiter befinden sich immer noch in der…

Power-MOSFETs

Ausgangskapazität korrekt bestimmen

Die Ausgangskapazität eines MOSFETs beeinflusst die Performance von hochfrequenten,…

Bauelemente

Wearables - der Stoff, aus dem die Zukunft ist

Durch Smartphones, Tablets und das mobile Internet haben sich viele Menschen an die…

Simulation mit SPICE

Tanh-Modell für die Simulation von MOS-Transistoren

Es ist oft schwierig, für MOS-Transistoren SPICE-Parameter zu erhalten, die auch für…

Elektromobilität

Herausforderung Schnellladung

Im Rahmen des Artemis-Förderprojektes „Internet of Energy for Electric Mobility“ entsteht…

Universität von Tokio

SiC-MOSFETs mit niedrigerer Defektdichte

Ein besonderes Problem bei SiC-MOSFETs sind die vielen Defekte in der Gateoxid-Schicht.…

Mehr Systemeffizienz durch…

Energie sparen mit SiC und GaN

Mehr Elektronik im täglichen Leben und ein steigender Energiebedarf mit den entsprechenden…