Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Alternative zu GaN und SiC

Wird Galliumoxid das nächste Material für Leistungshalbleiter?

Ein japanisches Konsortium möchte Galliumoxid als Material für Leistungshalbleiter bis 2018 zur Marktreife führen. Aufgrund seiner größeren Bandlücke, anderer wichtiger Materialeigenschaften sowie geringerer Kosten könnte dieses Material…

STMicroelectronics

Kleine SiC-Dioden mit hoher Leistung

STMicroelectronics hat neue, Automotive-qualifizierte Siliziumkarbid-Dioden (SiC) für…

Chipgehäuse

Isolation spart Kosten

Netzteilherstellern ist in ihrem äußerst wettbewerbs-intensiven Markt jede Möglichkeit zur…

Schnell schaltende Bauelemente

Niederinduktiver Aufbau steigert Wirkungsgrad

Durch das stetige Streben nach größtmöglichem Systemwirkungsgrad bei möglichst geringen…

Neue Materialien GaN

Galliumnitrid - Vom Konzept zur Realität

Die Leistungselektronik ist im Wandel. Neue Materialien mit breiter Bandlücke verdrängen…

»Energy Efficent Semiconductors«-Panel

Energieeffizienz als Grundvoraussetzung für IoT

Ohne energieeffiziente Halbleiter wird es kein IoT geben, und die 50 Milliarden im Netz…

Bauteilsimulation

SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs von Cree

Um die Vorteile der SiC-Technologie auszuschöpfen, müssen Leistungswandler auf diese…

Hohe thermische Leistung und Effizienz

Neue 1200V-Smart-Power-Module von Fairchild

Fairchild bringt mit seinen neuen Smart-Power-Modulen (SPM 2) platzsparende…

Leistungshalbleiter für Hybrid- und…

Das optimale Chipgehäuse einsetzen

Elektro- und Hybridfahrzeuge (HEVs) gelten zwar als umweltfreundlich, stehen aber zu ihrem…

EMI-Störungen minimieren

So kommutieren Wechselrichter

Jedes Mal, wenn Leistungshalbleiter ein- oder ausschalten, erzeugen sie…