Produkt

Infineons "The Answer" -High-Power-IGBT-Modul…

Bauraum- und Verlustoptimierung von Umrichtern

In Teil 1 wurde Infineons neues Plattformkonzept „The Answer“ beschrieben. Dieser 2. Teil widmet sich der Integration der neuen Leistungsmodule in ihre Anwendungsgebiete. Als Applikationsbeispiel dienen Mittelspannungsantriebe.

Infineons "The Answer" (Teil1)

Neuer Ansatz bei High-Power-IGBT-Modulen

Auf der PCIM 2014 skizzierte Infineon mit dem Plattformkonzept „The Answer“ einen neuen…

Legobausteine für HV-Schaltungen

Infineon Technologies stellt neue High-Power IGBT-Plattform vor

Robust, zuverlässig, mit verschiedenen IGBT-Chips bestückbar, mit möglichst hoher…

Schalter aus Galliumnitrid

Ist die Zeit reif für GaN?

Die Leistungswandlung muss effizienter, die Leistungsdichte größer, die…

Infineon

MOSFET statt Relais

Mit den geschützten Low-Side-Schaltern HITFET+ von Infineon lassen sich die heute üblichen…

Markt&Technik-Forum »Trends in der…

Chance für zweistellige Wachstumsraten im Jahr 2015

Mit der Chance auf vielleicht sogar zweistellige Zuwachsraten rechnen die Teilnehmer des…

SiC-MOSFETs und -Dioden

Die Auswahl wird größer

Dank seiner größeren Bandlücke hat Siliziumkarbid Vorteile gegenüber Silizium. Wegen des…

Interview mit Dr. Helmut Gassel

Infineons 300-mm-Dünnwafer-Projekt in Dresden läuft nach Plan

Ab 2016, so Dr. Helmut Gassel, Division President Industrial Power Control (IPC), werde…

Kommentar

GaN nimmt Fahrt auf

Leistungshalbleitern aus Wide-Bandgap-Materialien wie zum Beispiel Galliumnitrid ist eine…

Heraeus

Abgestimmte Materialsysteme für die Leistungselektronik

Zukünftig will Heraeus als Systemlieferant und Lösungsanbieter Material, Know-how und…