Produkt

Beschleunigung für Formel E

Rohm schickt SiC ins Rennen – und in die Serienautos

Hohe Effizienz und hohe Arbeits-Temperaturen – SiC gilt als DAS Material der Zukunft für die Leistungselektronik. Doch wie sehen die Vorteile in der realen Welt aus?

Stromversorgung

Mit Smart Power lässt sich alles »smart« machen

Bereits heute bestehen die zentralen Elemente zur Steuerung von elektrischen…

Moderne Halbleitertechnologien

GaN – Die Zeit ist reif

Die Vorteile von Galliumnitrid als Halbleitermaterial mit großem Bandabstand zeigen sich…

X-Fab

150-mm-SiC-Fertigung entsteht

Im Moment arbeitet X-Fab Silicon Foundries daran, die weltweit erste…

IGBTs, MOSFETs & Co.

Neuheiten in der Leistungselektronik

Ob SiC, GaN oder Neuentwicklungen auf Basis etablierter Technologien - in der…

Interview Dr. Martin Schulz, Infineon

Power für Männerspielzeug

Leistungsmodule für Stadtbusse oder Muldenkipper müssen viel aushalten. Dr. Martin Schulz…

Treiber für GaN-Transistoren

Optimierte Performance

GaN-Transistoren schalten deutlich schneller als Silizium-MOSFETs. Sie verheißen geringere…

Für eine nachhaltige Leistungselektronik

SiC und die unterschiedlichen Zellstrukturen

Die Zellstrukturen von Leistungshalbleitern haben einen wesentlichen Einfluss auf die…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

»Keine halben Sachen«

Vier Jahre, nachdem Cree den ersten SiC-MOSFET verfügbar machte, hat Marktführer Infineon…

Toshiba Electronics Europe

MOSFETs im neuen Gehäuse und sehr niedrigem Widerstand

Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an Leistungs-MOSFETs für die…